[发明专利]能够降低头部电阻率的重掺As硅单晶生产方法有效
| 申请号： | 202110897832.8 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN113584585B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 张兴茂;闫龙;王忠保;李小红;伊冉 | 申请（专利权）人： | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/20;C30B15/04 |
| 代理公司： | 宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105 | 代理人： | 孙彦虎 |
| 地址： | 750000 宁夏回族自*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 能够 降低 头部 电阻率 as 硅单晶 生产 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种能够降低头部电阻率的重掺As硅单晶生产方法，用于以2408SR单晶炉为生产装置，采用直拉法生产8吋重掺As硅单晶，其特征在于，包括依次进行的等径前工序、一段等径工序、二段等径工序及收尾工序；
其中，等径前工序中，调节氩气流量为120slm-130slm，并保持该氩气流量至二段等径工序结束；并且，等径前工序中，调节单晶炉炉压为12 kPa-15 kPa；一段等径工序中，将单晶炉炉压逐渐升高至18 kPa-20 kPa；二段等径工序中，维持单晶炉炉压为18 kPa-20 kPa。
2.如权利要求1所述的能够降低头部电阻率的重掺As硅单晶生产方法，其特征在于，所述等径前工序包括依次进行的稳定工序、引晶工序、放肩工序、转肩工序。
3.如权利要求1所述的能够降低头部电阻率的重掺As硅单晶生产方法，其特征在于，所述一段等径工序中，等径长度为200mm-500mm。
4.如权利要求3所述的能够降低头部电阻率的重掺As硅单晶生产方法，其特征在于，所述一段等径工序中，等径长度为300±10mm。
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