[发明专利]大板扇出型封装芯片的漂移定位测量方法及装置

说明书

本发明涉及大板扇出型封装芯片的漂移定位测量方法，包括以下：构建误差补偿模型，包括，获取激光干涉仪采集的第一数据，根据第一数据得到运动平台的直线度以及垂直度相关信息，根据第一数据计算进而建立所述误差补偿模型；漂移定位测量，包括，获取机器视觉系统采集的第二数据，第二数据包括芯片的图像信息，获取所述运动平台的X、Y、Z轴搭载的光栅尺采集的第三数据，第三数据用于反馈所述运动平台的实时位置信息，根据所述图像信息结合所述第三数据得到所述芯片的误差信息，根据所述误差信息，结合建立的所述误差补偿模型，对所述芯片进行误差补偿。本发明能够使大板扇出型封装芯片的定位精度能达到微米级，能满足芯片封装定位的要求。

技术领域

本发明涉及瓷砖智能检测领域，尤其涉及大板扇出型封装芯片的漂移定位测量方法及装置。

背景技术

芯片在封装过程中一般需要经过临时键合、重构晶圆、塑封到再布线及凸点制作这几个步骤。由于芯片漂移的问题，芯片封装的后续打孔，布线等需要芯片精确位置信息的工序都受到影响，最后会影响到芯片封装的成品率。

如今的先进封装技术主要分为扇入型封装和扇出型封装，近几年随着扇出型封装的进一步发展出现了大尺寸面板级扇出型封装。大板扇出型封装基板一般大小为600mm x600mm，基板上放置的待封装的芯片数量非常多，同时定位精度要求在微米级。大板扇出封装芯片在封装过程中由于塑封框架和环氧树脂之间的热膨胀系数的差异，异质材料之间的失配等因素会导致芯片出现漂移等问题。

对漂移问题的理解，如图1所示，实线为图纸芯片理论位置，虚线为芯片发生漂移后的实际位置，其中偏转角度为θ，x坐标偏移d1距离，y轴偏移d2距离。

发明内容

本发明的目的是为了至少解决现有技术的不足之一，提供大板扇出型封装芯片的漂移定位测量方法及装置。

为了实现上述目的，本发明采用以下的技术方案：

具体的，提出大板扇出型封装芯片的漂移定位测量方法，包括以下：

构建误差补偿模型，包括，

获取激光干涉仪采集的第一数据，根据所述第一数据得到运动平台的直线度以及垂直度相关信息，

根据所述第一数据计算进而建立所述误差补偿模型；

漂移定位测量，包括，

获取机器视觉系统采集的第二数据，所述第二数据包括大板扇出型封装芯片的图像信息，

获取所述运动平台的X、Y、Z轴搭载的光栅尺采集的第三数据，所述第三数据用于反馈所述运动平台的实时位置信息，

根据所述图像信息结合所述第三数据得到所述芯片的误差信息，所述误差信息包括芯片在实际位置与在理论位置时的中心位置的偏移量以及芯片的偏转角度，

根据所述误差信息，结合建立的所述误差补偿模型，对所述芯片进行误差补偿。

进一步，所述运动平台的直线度以及垂直度相关信息具体通过如下方式进行获取，

保持运动平台的Y，Z轴保持不动，通过移动运动平台的X轴，每隔第一阈值距离记录一次激光干涉仪测量的数据，通过控制运动平台在有效行程内进行多次重复测量，记录激光干涉仪测量到的运动平台X轴的定位精度和直线度，同理，测量出Y轴的定位精度和直线度，而激光干涉仪测量运动平台的垂直度是通过测量运动平台第一轴的直线度并拟合直线作为垂直度测量的基准轴，保持第一轴测量基准不变的条件下测量第二轴的直线度，通过拟合直线求出运动平台的X、Y轴的水平垂直度为θ。

进一步，所述根据所述第一数据计算进而建立所述误差补偿模型，具体包括以下，

由运动平台产生的定位误差建立的定位误差模型如下，