[发明专利]MOSFET漏电流检测装置、系统、方法及可读存储介质

权利要求书

1.一种MOSFET漏电流检测装置，其特征在于，包括电流检测模块和MOSFET桥臂电路PCB，所述MOSFET桥臂电路PCB上包括至少一组上、下桥MOSFET电路，所述MOSFET桥臂电路PCB的电源端与电源连接，所述电流检测模块设置于所述MOSFET桥臂电路PCB与电源之间；

所述电流检测模块，用于在所述MOSFET桥臂电路PCB与电源导通时，对所述MOSFET桥臂电路PCB上的MOSFET的漏电流信号进行采样。

2.如权利要求1所述的MOSFET漏电流检测装置，其特征在于，所述MOSFET漏电流检测装置还包括控制模块和开关模块，所述开关模块的第一端与所述MOSFET桥臂电路PCB的电源端连接，所述开关模块的第二端与电源连接，所述开关模块的控制端与所述控制模块的输出端连接，所述控制模块的采样端与所述电流检测模块的输出端连接；

所述控制模块，用于在接收到检测信号时，根据所述检测信号向所述开关模块输出导通电源信号，在接收到停止信号时，向所述开关模块输出截止信号；所述控制模块，还用于接收所述电流检测模块采样的漏电流信号；

所述开关模块，用于在接收到所述导通电源信号时，将所述MOSFET桥臂电路PCB与电源导通，在接收到关断信号时，将所述MOSFET桥臂电路PCB与电源断开。

3.如权利要求2所述的MOSFET漏电流检测装置，其特征在于，所述开关模块的第三端与所述控制模块的采样端连接，所述开关模块的第四端与所述电流检测模块的输出端连接；

所述控制模块，还用于在接收到检测信号时，根据所述检测信号向所述开关模块输出导通采样端信号；

所述开关模块，用于在接收到导通采样端信号时，将所述控制模块的采样端与电流检测模块的输出端导通，在接收到关断信号时，将所述控制模块的采样端与电流检测模块的输出端断开。

4.如权利要求1所述的MOSFET漏电流检测装置，其特征在于，所述上桥MOSFET电路包括上桥MOSFET，所述上桥MOSFET的源极与电源的正极连接，所述上桥MOSFET的漏极与电源的负极连接。

5.如权利要求1所述的MOSFET漏电流检测装置，其特征在于，所述下桥MOSFET电路包括下桥MOSFET，所述下桥MOSFET的源极与电源的正极连接，所述下桥MOSFET的漏极与电源的负极连接。

6.一种MOSFET漏电流检测系统，其特征在于，所述MOSFET漏电流检测系统包括上位机系统、继电器系统、产品夹具和待检测MOSFET桥臂电路PCB；所述产品夹具用于对所述待检测MOSFET桥臂电路PCB进行固定，以使所述待检测MOSFET桥臂电路PCB的电源端与电源连接，所述待检测MOSFET桥臂电路PCB的信号端与所述上位机系统的输入端连接，所述继电器系统设置在所述所述待检测MOSFET桥臂电路PCB的电源端与电源之间，所述继电器系统还设置在所述待检测MOSFET桥臂电路PCB的信号端与所述上位机系统的输入端之间，所述继电器系统的控制端与所述上位机系统的输出端连接。

7.一种MOSFET漏电流检测方法，其特征在于，应用于如权利要求1～5中任一项所述的MOSFET漏电流检测电路或应用于如权利要求6中所述的MOSFET漏电流检测系统，所述方法包括步骤：

将所述MOSFET桥臂电路PCB的上桥MOSFET或下桥MOSFET与电源导通；

通过对应的电流检测模块对所述上桥MOSFET的漏电流信号或所述下桥MOSFET的漏电流信号进行采样，以得到上桥MOSFET的漏电流值或下桥MOSFET的漏电流值；

所述上桥MOSFET的漏电流值和下桥MOSFET的漏电流值用于对所述MOSFET桥臂电路PCB上的MOSFET漏电流值是否合格进行判断。