[发明专利]MOSFET漏电流检测装置、系统、方法及可读存储介质

说明书

本发明公开了一种MOSFET漏电流检测装置、系统、方法及存储介质，该MOSFET漏电流检测装置包括：电流检测模块和MOSFET桥臂电路PCB，所述MOSFET桥臂电路PCB上包括至少一组上、下桥MOSFET电路，所述MOSFET桥臂电路PCB的电源端与电源连接，所述电流检测模块设置于所述MOSFET桥臂电路PCB与电源之间；所述电流检测模块，用于在所述MOSFET桥臂电路PCB与电源导通时，对所述MOSFET桥臂电路PCB上的MOSFET的漏电流信号进行采样。本发明提高了MOSFET漏电流的检测精确度，并降低了检测成本。

技术领域

本发明涉及电路电子领域，尤其涉及一种MOSFET漏电流检测装置、系统、方法及存储介质。

背景技术

电动汽车的电机控制器(以下简称控制器)的功率输出部分由较多数量的功率MOSFET(以下简称MOSFET)组成三相六臂桥式电路。MOSFET由于芯片、封装等制造缺陷，会出现高压下漏电流超出标称漏电流上限的问题，通常表现为耐压能力不足，在装机后的高压带载运行中击穿失效，导致电机控制器受损，整车动力丢失。

目前，常用的MOSFET漏电流的检测方式为通过电机控制器下线带载运行，使缺陷件失效暴露，但是受限于下线检测节拍时间，下线检测无法筛除所有潜在缺陷件，而且一旦出现失效，会导致MOSFET PCB连同整机一起报废，造成高额损失。

上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种MOSFET漏电流检测装置、系统、方法及存储介质，旨在解决控制器MOSFET潜在缺陷无法被检出，导致整车应用时电机控制器受损的问题。

为了实现上述目的，本发明提供一种MOSFET漏电流检测装置，包括电流检测模块和MOSFET桥臂电路PCB，所述MOSFET桥臂电路PCB上包括至少一组上、下桥MOSFET电路，所述MOSFET桥臂电路PCB的电源端与电源连接，所述电流检测模块设置于所述MOSFET桥臂电路PCB与电源之间；

所述电流检测模块，用于在所述MOSFET桥臂电路PCB与电源导通时，对所述MOSFET桥臂电路PCB上的MOSFET的漏电流信号进行采样。

可选地，所述MOSFET漏电流检测装置还包括控制模块和开关模块，所述开关模块的第一端与所述MOSFET桥臂电路PCB的电源端连接，所述开关模块的第二端与电源连接，所述开关模块的控制端与所述控制模块的输出端连接，所述控制模块的采样端与所述电流检测模块的输出端连接；

所述控制模块，用于在接收到检测信号时，根据所述检测信号向所述开关模块输出导通电源信号，在接收到停止信号时，向所述开关模块输出截止信号；所述控制模块，还用于接收所述电流检测模块采样的漏电流信号；

所述开关模块，用于在接收到所述导通电源信号时，将所述MOSFET桥臂电路PCB与电源导通，在接收到关断信号时，将所述MOSFET桥臂电路PCB与电源断开。

可选地，所述开关模块的第三端与所述控制模块的采样端连接，所述开关模块的第四端与所述电流检测模块的输出端连接；

所述控制模块，还用于在接收到检测信号时，根据所述检测信号向所述开关模块输出导通采样端信号；

所述开关模块，用于在接收到导通采样端信号时，将所述控制模块的采样端与电流检测模块的输出端导通，在接收到关断信号时，将所述控制模块的采样端与电流检测模块的输出端断开。

可选地，所述上桥MOSFET电路包括上桥MOSFET，所述上桥MOSFET的源极与电源的正极连接，所述上桥MOSFET的漏极与电源的负极连接。

可选地，所述下桥MOSFET电路包括下桥MOSFET，所述下桥MOSFET的源极与电源的正极连接，所述下桥MOSFET的漏极与电源的负极连接。