[发明专利]一种三氯硅烷的检测前处理方法及检测方法

说明书

本发明涉及检测系统技术领域，尤其涉及一种三氯硅烷的检测前处理方法，常温下，将液态的三氯硅烷喷洒入对氢气进行存储的第一空间内；对第一空间进行压缩，第一空间内的气体向第二空间内流动，且流动过程中保持对第一空间的持续增压状态；当第一空间内的压力增大至第二设定值时，对第二空间进行压缩；第一空间内的气体完成向第二空间内的流通，且第二空间内的压力增大至第一设定值前，完成三氯硅烷的气化。通过本发明使得三氯硅烷可获得均匀的气相而进入到气象色谱仪中，有效降低了设备的损坏几率，通过对三氯硅烷的精准检测，可保证电子级多晶硅的质量得到有效保证，本发明中还请求保护一种三氯硅烷的检测前处理装置、检测方法及装置。

技术领域

本发明涉及检测技术领域，尤其涉及一种三氯硅烷的检测前处理方法、装置、检测方法及装置。

背景技术

用改良西门子法生产电子级多晶硅，需要在三氯氢硅的循环管路中，多次使用气相色谱监测三氯硅烷的组分和纯度。三氯硅烷常温下为液态，为了进入气相色谱仪进行检测，必须对其加热进行气化，一旦加热不均匀，液态氯硅烷就会进入气相色谱仪，堵塞管路，导致检测设备的损坏。

鉴于上述缺陷，本发明人基于从事此类技术多年丰富经验及专业知识，配合理论分析，加以研究创新，以期开发一种三氯硅烷的检测前处理方法、装置、检测方法及装置。

发明内容

本发明中提供了一种三氯硅烷的检测前处理方法，可有效解决背景技术中的缺陷，同时本发明中还请求保护一种三氯硅烷的检测前处理装置、检测方法及装置，具有同样的技术效果。

本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：

一种三氯硅烷的检测前处理方法，包括以下步骤：

常温下，将液态的三氯硅烷喷洒入对氢气进行存储的第一空间内，所述三氯硅烷和氢气的体积比例为设定值；

对所述第一空间进行压缩，当所述第一空间内的压力增大至第一设定值时，所述第一空间内的气体向第二空间内流动，且流动过程中保持对所述第一空间的持续增压状态；

当所述第一空间内的压力增大至第二设定值时，对所述第二空间进行压缩；

所述第一空间内的气体完成向所述第二空间内的流通，且所述第二空间内的压力增大至第一设定值前，完成三氯硅烷的气化。

进一步地，所述第一空间的压缩速率大于第二空间的压缩速率。

进一步地，所述第一空间和第二空间的压缩方向相反。

进一步地，所述第一空间和第二空间在垂直于压缩方向上的截面面积相同。

一种三氯硅烷的检测前处理装置，包括：

管路，对常温下的液态三氯硅烷进行传输，且设置有引出端，供部分三氯硅烷取用以供检测；

第一空间，对氢气进行存储，且与所述引出端连接，其中，所述引出端内设置有喷嘴，供三氯硅烷向所述第一空间内喷射；

第二空间，与所述第一空间连接，与所述第一空间之间设置有第一溢流阀，供所述第一空间内压力在第一设定值及以上压力的气体进入所述第二空间内；以及，与向气象色谱仪流通的通道内设置有第二溢流阀，供所述第二空间内压力在第一设定值及以上压力的气体进入所述通道内；

所述第一空间和第二空间内分别设置有第一活塞结构和第二活塞结构，用于改变空间容积而对气体进行压缩。

进一步地，所述第一空间和第二空间均设置于缸体内，且通过固定隔板分割，所述第一溢流阀设置于所述固定隔板上。

进一步地，所述第一活塞结构和第二活塞结构沿所述缸体长度方向运动。

进一步地，所述缸体在长度方向上等截面设置。