[发明专利]阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板在审
申请号: | 202110906207.5 | 申请日: | 2021-08-09 |
公开(公告)号: | CN114068589A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 江志雄 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 官建红 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制作方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:
基板;
薄膜晶体管层,设置在所述基板上,所述薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括有源层、与所述有源层电连接的源漏极、与所述有源层对应的第一栅极和第二栅极,所述第一栅极和所述第二栅极之间设有第一绝缘层,所述第一绝缘层上开设有通孔,所述第一栅极和所述第二栅极通过所述通孔电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管层包括第一栅极线和数据线,所述第一栅极线与所述第一栅极电连接且同层设置,所述数据线与所述源漏极电连接且同层设置;所述第一栅极线和所述数据线错开设置。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管层包括第二栅极线,所述第二栅极线与所述第二栅极电连接且同层设置,所述第二栅极线与所述数据线交叉;
所述第一栅极线和所述第二栅极线至少部分重叠;所述第一栅极线在所述第二栅极线与所述数据线交叉处断开。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一栅极和所述有源层之间设有第二绝缘层;
所述第二栅极线、所述第一绝缘层、所述第一栅极线、所述第二绝缘层、所述有源层以及所述数据线层叠地设置在所述基板上,所述第一栅极与所述有源层的位置对应。
5.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第二栅极和所述有源层之间设有第二绝缘层;
所述有源层、所述第二绝缘层、所述第二栅极线、所述第一绝缘层、所述第一栅极线以及所述数据线依次层叠地设置在所述基板上,所述第二栅极与所述有源层的位置对应。
6.根据权利要求4或5所述的阵列基板,其特征在于,所述第一绝缘层的厚度大于或者等于所述第二绝缘层的厚度。
7.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一栅极线的厚度大于或者等于所述第二栅极线的厚度。
8.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述通孔与所述第一栅极的位置对应。
9.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一基板;
在所述基板上制作第二栅极和第二栅极线,所述第二栅极和第二栅极线电连接且同层设置;
在所述第二栅极和第二栅极线上制作第一绝缘层,并在所述第一绝缘层上开设通孔;
在所述第一绝缘层上制作第一栅极和第一栅极线,并使所述第一栅极穿过所述通孔与所述第二栅极电连接,所述第一栅极线与所述第一栅极电连接且同层设置;
在所述第一栅极和第一栅极线上制作第二绝缘层;
在所述第二绝缘层上制作有源层;
在所述有源层上制作源漏极和数据线,所述数据线与所述源漏极中的源极电连接且同层设置。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述第一栅极线设置有隔断区域,所述在所述有源层上制作源漏极和数据线的步骤中,包括:
在所述有源层上沉积金属层;
图案化所述金属层形成源漏极和数据线,所述数据线与所述隔断区域至少部分重叠。
11.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括权利要求1至8中任意一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的