[发明专利]阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板

说明书

本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板。阵列基板包括基板和设置在基板上的薄膜晶体管层，薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括有源层、与有源层电连接的源漏极、与有源层对应的第一栅极和第二栅极；第一栅极和第二栅极之间设有第一绝缘层，第一绝缘层上开设有通孔，第一栅极和第二栅极通过通孔电连接。通过在阵列基板中设置层叠的第一栅极和第二栅极，并使第一栅极和第二栅极电连接，在减小了薄膜晶体管栅极电阻的同时，也避免了制作一层较厚的栅极时导致的蚀刻困难和蚀刻时间过长的问题。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)液晶显示面板具有体积小、对比度高等优点，普遍应用于手机、电视、电脑等电子产品中。TFT中通常包括栅极，源漏极和有源层。随着对分辨率需求的提升，TFT中栅极占比越来越大，从而导致电阻电容延迟成倍增大，进而导致错充电压过高而出现显示异常。

发明内容

本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板，旨在解决现有的阵列基板中电阻电容延迟过大导致错充电压过高而出现显示异常的问题。

第一方面，本申请提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：

基板；

薄膜晶体管层，设置在所述基板上，所述薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、与所述有源层电连接的源漏极、与所述有源层对应的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极之间设有第一绝缘层，所述第一绝缘层上开设有通孔，所述第一栅极和所述第二栅极通过所述通孔电连接。

可选的，所述薄膜晶体管层包括第一栅极线和数据线，所述第一栅极线与所述第一栅极电连接且同层设置，所述数据线与所述源漏极电连接且同层设置；所述第一栅极线和所述数据线错开设置。

可选的，所述薄膜晶体管层包括第二栅极线，所述第二栅极线与所述第二栅极电连接且同层设置，所述第二栅极线与所述数据线交叉；

所述第一栅极线和所述第二栅极线至少部分重叠，所述第一栅极线在所述第二栅极线与所述数据线交叉处断开。

可选的，所述第一栅极和所述有源层之间设有第二绝缘层；

所述第二栅极线、所述第一绝缘层、所述第一栅极线、所述第二绝缘层、所述有源层以及所述数据线层叠地设置在所述基板上，所述第一栅极与所述有源层的位置对应。

可选的，所述第二栅极和所述有源层之间设有第二绝缘层；

所述有源层、所述第二绝缘层、所述第二栅极线、所述第一绝缘层、所述第一栅极线以及所述数据线依次层叠地设置在所述基板上，所述第二栅极与所述有源层的位置对应。

可选的，所述第一绝缘层的厚度大于或者等于所述第二绝缘层的厚度。

可选的，所述第一栅极线的厚度大于或者等于所述第二栅极线的厚度。

可选的，所述通孔与所述第一栅极的位置对应。

第二方面，本申请提供一种阵列基板的制作方法，包括如下步骤：

提供一基板；

在所述基板上制作第二栅极和第二栅极线，所述第二栅极和第二栅极线电连接且同层设置；

在所述第二栅极和第二栅极线上制作第一绝缘层，并在所述第一绝缘层上开设通孔；

在所述第一绝缘层上制作第一栅极和第一栅极线，并使所述第一栅极穿过所述通孔与所述第二栅极电连接，所述第一栅极线与所述第一栅极电连接且同层设置；

在所述第一栅极和第一栅极线上制作第二绝缘层；