[发明专利]发光芯片及其制作方法和发光组件在审
申请号: | 202110910591.6 | 申请日: | 2021-08-09 |
公开(公告)号: | CN114038877A | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 代雪梅;张雪林;李刘中;袁山富 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 李发兵 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 芯片 及其 制作方法 组件 | ||
1.一种发光芯片,其特征在于,包括:
外延层;
设置于所述外延层上的至少两个电极;
分别设置于各个所述电极上且远离所述外延层一端的端面上的键合层,所述键合层包括自其底面向其顶面延伸的中空区域,所述中空区域贯穿所述键合层的所述底面,所述键合层的所述底面为设置于所述端面上的一面,所述键合层的所述顶面为与所述底面相对的一面。
2.如权利要求1所述的发光芯片,其特征在于,所述中空区域贯穿所述键合层的所述顶面。
3.如权利要求2所述的发光芯片,其特征在于,所述中空区域为通孔。
4.如权利要求2所述的发光芯片,其特征在于,所述中空区域为贯穿所述键合层的至少一个侧面的通槽。
5.如权利要求1所述的发光芯片,其特征在于,所述键合层的所述顶面将所述中空区域覆盖,且所述中空区域贯穿所述键合层的至少一个侧面。
6.如权利要求1-5任一项所述的发光芯片,其特征在于,所述键合层的侧面与所述电极的侧面平齐。
7.如权利要求1-5任一项所述的发光芯片,其特征在于,各个所述电极上的所述键合层中所述中空区域的形状和/或尺寸相同。
8.如权利要求1-5任一项所述的发光芯片,其特征在于,所述键合层为焊料层或导电胶层。
9.一种如权利要求1-8任一项所述的发光芯片的制作方法,其特征在于,包括:
形成所述发光芯片的外延层,所述外延层上设置有至少两个电极;
在所述外延层上且靠近所述电极一端的端面上设置牺牲层;
根据待形成的键合层在所述电极上的位置分布,对所述牺牲层进行图案化处理;
在所述电极和所述牺牲层上设置所述键合层;
将所述牺牲层和所述键合层中与所述牺牲层对应的一部分去除,以形成具有中空区域的所述键合层。
10.一种发光组件,其特征在于,包括:电路板和如权利要求1-8任一项所述的发光芯片;
所述电路板上设有芯片键合区,所述芯片键合区内设有与所述发光芯片的电极对应的焊盘;
所述电路板的焊盘与所述发光芯片上的键合层连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的