[发明专利]发光芯片及其制作方法和发光组件在审

专利信息
申请号: 202110910591.6 申请日: 2021-08-09
公开(公告)号: CN114038877A 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 代雪梅;张雪林;李刘中;袁山富 申请(专利权)人: 重庆康佳光电技术研究院有限公司
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62
代理公司: 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 代理人: 李发兵
地址: 402760 重庆市璧*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 发光 芯片 及其 制作方法 组件
【说明书】:

发明提供的发光芯片及其制作方法和发光组件,该发光芯片包括外延层;设置于所述外延层上的至少两个电极;设置于各个所述电极上且远离所述外延层一端的端面上的键合层,所述键合层包括自其底面向其顶面延伸的中空区域,所述中空区域贯穿所述键合层的所述底面,所述键合层的所述底面为设置于所述端面上的一面,所述键合层的所述顶面为与所述底面相对的一面;有利于将发光芯片转移至电路板时键合层中的熔融金属溢流至中空区域,从而保证了键合层中的熔融金属不会在压合时溢流到电极的其他端面而造成短路。

技术领域

本发明涉及芯片领域,尤其涉及发光芯片及其制作方法和发光组件。

背景技术

现有技术中将发光芯片转移至电路板时,是将发光芯片上的电极与电路板上的键合层对位压合。在此过程中,键合层中熔融金属外溢,容易造成短路。

因此,如何避免将发光芯片转移至电路板时因键合层中熔融金属外溢造成短路是亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述相关技术的不足,本申请的目的在于提供一种发光芯片及其制作方法和发光组件,旨在解决现有技术中将发光芯片转移至电路板时因键合层中熔融金属外溢造成短路的技术问题。

一种发光芯片,包括:

外延层;

设置于所述外延层上的至少两个电极;

分别设置于各个所述电极上且远离所述外延层一端的端面上的键合层,所述键合层包括自其底面向其顶面延伸的中空区域,所述中空区域贯穿所述键合层的所述底面,所述键合层的所述底面为设置于所述端面上的一面,所述键合层的所述顶面为与所述底面相对的一面。

上述发光芯片,通过在发光芯片中各个电极上设有具有中空区域的键合层,有利于将发光芯片转移至电路板时键合层中的熔融金属溢流至中空区域,从而保证了键合层中的熔融金属不会在压合时溢流到电极的其他端面而造成短路。

可选地,所述中空区域贯穿所述键合层的所述顶面。

可选地,所述中空区域为通孔。

可选地,所述中空区域为贯穿所述键合层的至少一个侧面的通槽。

可选地,所述键合层的所述顶面将所述中空区域覆盖,且所述中空区域贯穿所述键合层的至少一个侧面。

可选地,所述键合层的侧面与所述电极的侧面平齐。

可选地,各个所述电极上的所述键合层中所述中空区域的形状和/或尺寸相同。

可选地,所述键合层为焊料层或导电胶层。

基于同样的发明构思,本申请还提供一种前文所述的发光芯片的制作方法,包括:

形成所述发光芯片的外延层,所述外延层上设置有至少两个电极;

在所述外延层上且靠近所述电极一端的端面上设置牺牲层;

根据待形成的键合层在所述电极上的位置分布,对所述牺牲层进行图案化处理;

在所述电极和所述牺牲层上设置所述键合层;

将所述牺牲层和所述键合层中与所述牺牲层对应的一部分去除,以形成具有中空区域的所述键合层。

上述发光芯片的制作方法,可在发光芯片的各个电极上形成具有中空区域的键合层,有利于将发光芯片转移至电路板时键合层中的熔融金属溢流至中空区域,从而保证了键合层中的熔融金属不会在压合时溢流到电极的其他端面而造成短路。

基于同样的发明构思,本申请还提供一种发光组件,包括:电路板和前文所述的发光芯片;

所述电路板上设有芯片键合区,所述芯片键合区内设有与所述发光芯片的电极对应的焊盘;

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