[发明专利]晶圆保持件及研磨机在审
申请号: | 202110911273.1 | 申请日: | 2021-08-09 |
公开(公告)号: | CN113524027A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 崔凯;田国军 | 申请(专利权)人: | 北京烁科精微电子装备有限公司 |
主分类号: | B24B37/30 | 分类号: | B24B37/30;B24B37/32;B24B37/10;B24B37/34 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 胡晓静 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保持 研磨机 | ||
本发明公开了一种晶圆保持件及研磨机,其中,晶圆保持件包括支撑圈和固定环,支撑圈具有相对的第一表面和第二表面,支撑圈的第一表面用于在研磨晶圆时与研磨头连接;固定环设于支撑圈的第二表面上,固定环内周壁设有倒角,倒角设于固定环背对支撑圈的一侧,固定环的内侧形成有用于固定晶圆的固定位,固定环的表面用于在研磨晶圆时与研磨垫接触。本发明改进了晶圆保持件的结构,将晶圆保持件与研磨垫的接触点向晶圆保持件中心的方向偏移,研磨垫形变点由晶圆边缘变成了与晶圆保持件本体接触的位置,避免了由于压力增加而导致的晶圆边缘研磨率增大的问题。
技术领域
本发明涉及芯片制造技术领域,尤其涉及一种晶圆保持件及研磨机。
背景技术
随着5G的新兴逐步应用,它所具有的超高速率,超低延时,超高密度等优点,使物联网、人工智能、无人驾驶等新兴技术迅猛发展。这就要求生产5G技术的芯片具有高效率,低能耗等特点。随着半导体芯片制造技术的发展,200mm及以上晶圆(Wafer)的化学机械平坦化工艺(Chemical MechanicalPlanarization,简称CMP)在芯片生产中的作用和要求也就越来越高。芯片器件越来越小,线宽越来越窄,对片内(Within Wafer,简称WIW)表面形貌、不均匀度等参数的控制精度要求越来越高。
目前,研磨机在研磨过程中,晶圆边缘的研磨速率会明显比中间区域要高(如图1所示),造成晶圆边缘和晶圆中心会有明显的高度差,整体均匀度较低,使得研磨后的晶圆品质不能满足实际需求。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种晶圆保持件及研磨机,旨在提高晶圆研磨的均匀度,以提高生产制造的良品率。
为实现上述目的,本发明提出一种晶圆保持件,用于套住晶圆,所述晶圆保持件包括:
支撑圈,具有相对的第一表面和第二表面,所述支撑圈的第一表面用于在研磨晶圆时与研磨头连接;和
固定环,设于所述支撑圈的第二表面上,所述固定环内周壁设有倒角,所述倒角设于所述固定环背对所述支撑圈的一侧,所述固定环的内侧形成有用于固定晶圆的固定位,所述固定环的表面用于在研磨晶圆时与研磨垫接触。
可选地,所述倒角的宽度大于0.01mm。
可选地,所述倒角的高度大于0.1mm。
可选地,所述倒角为直角倒角、圆角倒角或不规则倒角。
可选地,所述倒角为一次倒角、两次倒角或多次倒角。
可选地,所述固定环上设有多个间隔设置的导流槽,以用于在研磨过程中将研磨液和水引流至所述晶圆,和将研磨废弃物引导排出。
可选地,多个所述导流槽周向间隔均匀地分布于所述固定环上。
可选地,所述固定环的材质为PPS或PP。
可选地,所述固定环的内径为200mm或300mm。
可选地,所述支撑圈的材质为不锈钢。
可选地,所述固定环上设有分压槽,以用于在研磨晶圆时减小所述固定环与研磨垫之间的相互作用力。
为了实现上述目的,本发明还提出一种研磨机,所述研磨机包括如上所述的晶圆保持件,所述晶圆保持件包括:
支撑圈,具有相对的第一表面和第二表面,所述支撑圈的第一表面用于在研磨晶圆时与研磨头连接;和
固定环,设于所述支撑圈的第二表面上,所述固定环内周壁设有倒角,所述倒角设于所述固定环背对所述支撑圈的一侧,所述固定环的内侧形成有用于固定晶圆的固定位,所述固定环的表面用于在研磨晶圆时与研磨垫接触。
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