[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

像素阵列，包括基板、在平行于所述基板的上表面的方向上排列的多个像素、以及在所述多个像素中的相邻像素之间的像素隔离层，所述多个像素中的每个包括至少一个光电二极管和在所述至少一个光电二极管下方的像素电路；以及

逻辑电路，配置为从所述多个像素获取像素信号，

其中所述像素阵列包括至少一个自动聚焦像素，

其中所述至少一个自动聚焦像素包括第一光电二极管、第二光电二极管、在所述第一光电二极管和所述第二光电二极管之间的像素内部隔离层、以及在所述第一光电二极管和所述第二光电二极管上的微透镜，

其中所述像素内部隔离层包括第一像素内部隔离层和第二像素内部隔离层，

所述第一像素内部隔离层和所述第二像素内部隔离层在第一方向上彼此分隔，

所述第一方向垂直于所述基板的所述上表面，以及

所述第一像素内部隔离层的材料不同于所述第二像素内部隔离层的材料。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中

所述第一像素内部隔离层从所述像素电路延伸并包括多晶硅，以及

所述第二像素内部隔离层包括绝缘材料。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中

所述像素电路配置为在所述逻辑电路从所述多个像素获取所述像素信号的同时向所述第一像素内部隔离层施加负电压。

4.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，

在平行于所述基板的所述上表面的一个方向上，所述第一像素内部隔离层的长度不同于所述第二像素内部隔离层的长度。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，在所述一个方向上，所述第一像素内部隔离层与所述像素隔离层分隔。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中

所述至少一个自动聚焦像素包括在所述第一像素内部隔离层和所述第二像素内部隔离层之间的杂质区，以及

所述杂质区掺有P型杂质。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中

所述像素隔离层包括第一像素隔离层和第二像素隔离层，

所述第一像素隔离层从所述像素电路延伸并包括第一材料，

所述第二像素隔离层从所述第一像素隔离层延伸并包括第二材料，以及

所述第二材料不同于所述第一材料。

8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中

所述第一像素内部隔离层包括所述第一材料，以及

所述第二像素内部隔离层包括所述第二材料。

9.根据权利要求7所述的图像传感器，其中所述第二材料的反射率高于所述第一材料的反射率。

10.一种图像传感器，包括：

基板，具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；

像素阵列，包括多个像素和在所述多个像素中的相邻像素之间的像素隔离层，所述像素隔离层在垂直于所述第一表面的第一方向上从所述基板的所述第一表面延伸到所述基板的所述第二表面，

所述多个像素中的每个包括在所述基板内部的至少一个光电二极管和在所述第一表面上具有多个元件的像素电路；以及

逻辑电路，配置为从所述多个像素获取像素信号，

其中所述像素阵列包括至少一个自动聚焦像素，

其中所述至少一个自动聚焦像素包括第一光电二极管、第二光电二极管、在所述第一光电二极管和所述第二光电二极管之间在所述第一方向上从所述第一表面延伸的像素内部隔离层、以及在所述第二表面上的微透镜，

其中所述像素内部隔离层包括从所述第一表面延伸的第一像素内部隔离层和从所述第二表面延伸的第二像素内部隔离层，以及

其中所述第一像素内部隔离层和所述第二像素内部隔离层在平行于所述第一表面的平面中具有不同的形状。