[发明专利]图像传感器在审

专利信息
申请号: 202110912216.5 申请日: 2021-08-10
公开(公告)号: CN114079736A 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 藤田雅人;薛斗植;李卿德;李景镐;郑泰燮 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H04N5/369 分类号: H04N5/369;H01L27/146
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 弋桂芬
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器
【说明书】:

发明公开了一种图像传感器,该图像传感器包括像素阵列和逻辑电路。像素阵列包括在多个像素中的相邻像素之间的像素隔离层。所述多个像素中的每个包括在至少一个光电二极管下方的像素电路。逻辑电路从所述多个像素获取像素信号。像素阵列包括至少一个自动聚焦像素,其包括第一光电二极管、第二光电二极管、在第一光电二极管和第二光电二极管之间的像素内部隔离层、以及在第一光电二极管和第二光电二极管上的微透镜。像素内部隔离层包括在垂直于基板的上表面的第一方向上彼此分隔的第一像素内部隔离层和第二像素内部隔离层,第一像素内部隔离层和第二像素内部隔离层包括不同的材料。

技术领域

发明构思涉及图像传感器。

背景技术

图像传感器是接收光并产生电信号的基于半导体的传感器,并且可以包括具有多个像素的像素阵列、驱动像素阵列并产生图像的逻辑电路等。逻辑电路可以从像素获得像素信号以产生图像数据。图像传感器可以提供用于在对象上聚焦的自动聚焦功能。

发明内容

发明构思的一方面在于提供一种图像传感器,其能够减少和/或最小化在形成设置于光电二极管之间的隔离层时可能发生的对准误差,并且限制和/或防止光电二极管的饱和。

根据一示例实施方式,一种图像传感器可以包括:像素阵列,包括基板、在平行于基板的上表面的方向上排列的多个像素、以及在所述多个像素中的相邻像素之间的像素隔离层,所述多个像素中的每个包括至少一个光电二极管和在所述至少一个光电二极管下方的像素电路;以及逻辑电路,配置为从所述多个像素获取像素信号。像素阵列可以包括至少一个自动聚焦像素。所述至少一个自动聚焦像素可以包括第一光电二极管、第二光电二极管、在第一光电二极管和第二光电二极管之间的像素内部隔离层、以及在第一光电二极管和第二光电二极管上的微透镜。像素内部隔离层可以包括第一像素内部隔离层和第二像素内部隔离层。第一像素内部隔离层和第二像素内部隔离层可以在第一方向上彼此分隔。第一方向可以垂直于基板的上表面。第一像素内部隔离层的材料可以不同于第二像素内部隔离层的材料。

根据一示例实施方式,一种图像传感器可以包括:基板,具有第一表面和与第一表面相反的第二表面;像素阵列,包括多个像素和在所述多个像素中的相邻像素之间的像素隔离层,像素隔离层在垂直于第一表面的第一方向上从基板的第一表面延伸到基板的第二表面,所述多个像素中的每个包括在基板内部的至少一个光电二极管和在第一表面上具有多个元件的像素电路;以及逻辑电路,配置为从所述多个像素获取像素信号。像素阵列可以包括至少一个自动聚焦像素,其中所述至少一个自动聚焦像素包括第一光电二极管、第二光电二极管、在第一光电二极管和第二光电二极管之间在第一方向上从第一表面延伸的像素内部隔离层、以及在第二表面上的微透镜。像素内部隔离层可以包括从第一表面延伸的第一像素内部隔离层和从第二表面延伸的第二像素内部隔离层。第一像素内部隔离层和第二像素内部隔离层可以在平行于第一表面的平面中具有不同的形状。

根据一示例实施方式,一种图像传感器可以包括:基板,具有第一表面和与第一表面相反的第二表面;像素阵列,包括多个像素和在所述多个像素中的相邻像素之间的像素隔离层,像素隔离层在垂直于第一表面的第一方向上从第一表面延伸,所述多个像素中的每个包括至少一个光电二极管和像素电路,像素电路在第一表面上具有多个元件;以及逻辑电路,配置为从所述多个像素获取像素信号。像素阵列可以包括至少一个自动聚焦像素。自动聚焦像素可以包括在平行于第一表面的第二方向上彼此分隔的第一光电二极管和第二光电二极管、在第一光电二极管和第二光电二极管之间在第一方向上从第一表面延伸的像素内部隔离层、以及在第二表面上的微透镜。像素内部隔离层可以具有在第一方向上延伸并在与第二方向交叉的第三方向上彼此相反的第一垂直表面和第二垂直表面。第一垂直表面和第二垂直表面中的至少一个可以与像素隔离层分隔。

附图说明

发明构思的以上及其它方面、特征和效果将由以下结合附图进行的详细描述被更清楚地理解,附图中:

图1是示意性地示出根据发明构思的一实施方式的图像传感器的框图。

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