[发明专利]一种低功耗高压电平移位电路在审

专利信息
申请号: 202110912301.1 申请日: 2021-08-10
公开(公告)号: CN113541676A 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 沈泽良 申请(专利权)人: 宜矽源半导体南京有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 210000 江苏省南京市江北*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 功耗 高压 电平 移位 电路
【权利要求书】:

1.一种低功耗高压电平移位电路,其特征在于:包含第一MOS管M1,第二MOS管M2,第三MOS管M3,第四MOS管M4,第五MOS管M5,第六MOS管M6,第七MOS管M7,第八MOS管M8,第九MOS管M9,第一二极管D1,第二二极管D2,第三二极管D3,第一反相器U1,第二反相器U2,其中第一MOS管M1、第二MOS管M2和第四MOS管M4的源极均连接到VDDH,第一MOS管M1的栅极与第六MOS管M6的漏极相连,第一MOS管M1的漏极连接到第三MOS管M3的源极,第二MOS管M2的栅极与第六MOS管M6的漏极相连,第二MOS管M2的漏极连接到第五MOS管M5的源极,第三MOS管M3的栅极分别与其自身的漏极和第四MOS管M4的栅极相连,第三MOS管M3的漏极接第一二极管D1的负极,第四MOS管M4的漏极与第六MOS管M6的源极相连,第五MOS管M5的栅极分别与其自身的漏极和第六MOS管M6的栅极相连,第五MOS管M5的漏极连接到第二二极管D2的负极,第六MOS管M6的漏极与第三二极管D3的负极相连,第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9的源极均连接到地,第七MOS管M7和第九MOS管M9的栅极均连接到第一反相器U1的输出端,第七MOS管M7的漏极与第一二极管D1的正极相连,第八MOS管M8的栅极连接到Vin,第八MOS管M8的漏极与第三二极管D3的正极相连,第九MOS管M9的漏极与第二二极管D2的正极相连,第一反相器U1的输入端接Vin,第一反相器U1的电源端接VDDL,第二反相器U2的输入端与第三二极管D3的负极相连,第二反相器U2的输出端接Vout,第二反相器U2的电源端接VDDH

2.按照权利要求1所述的一种低功耗高压电平移位电路,其特征在于:所述电路中VDDH和VDDL为将要电平移位的高低电压。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宜矽源半导体南京有限公司,未经宜矽源半导体南京有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110912301.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top