[发明专利]一种低功耗高压电平移位电路在审
申请号: | 202110912301.1 | 申请日: | 2021-08-10 |
公开(公告)号: | CN113541676A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 沈泽良 | 申请(专利权)人: | 宜矽源半导体南京有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210000 江苏省南京市江北*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功耗 高压 电平 移位 电路 | ||
1.一种低功耗高压电平移位电路,其特征在于:包含第一MOS管M1,第二MOS管M2,第三MOS管M3,第四MOS管M4,第五MOS管M5,第六MOS管M6,第七MOS管M7,第八MOS管M8,第九MOS管M9,第一二极管D1,第二二极管D2,第三二极管D3,第一反相器U1,第二反相器U2,其中第一MOS管M1、第二MOS管M2和第四MOS管M4的源极均连接到VDDH,第一MOS管M1的栅极与第六MOS管M6的漏极相连,第一MOS管M1的漏极连接到第三MOS管M3的源极,第二MOS管M2的栅极与第六MOS管M6的漏极相连,第二MOS管M2的漏极连接到第五MOS管M5的源极,第三MOS管M3的栅极分别与其自身的漏极和第四MOS管M4的栅极相连,第三MOS管M3的漏极接第一二极管D1的负极,第四MOS管M4的漏极与第六MOS管M6的源极相连,第五MOS管M5的栅极分别与其自身的漏极和第六MOS管M6的栅极相连,第五MOS管M5的漏极连接到第二二极管D2的负极,第六MOS管M6的漏极与第三二极管D3的负极相连,第七MOS管M7、第八MOS管M8和第九MOS管M9的源极均连接到地,第七MOS管M7和第九MOS管M9的栅极均连接到第一反相器U1的输出端,第七MOS管M7的漏极与第一二极管D1的正极相连,第八MOS管M8的栅极连接到Vin,第八MOS管M8的漏极与第三二极管D3的正极相连,第九MOS管M9的漏极与第二二极管D2的正极相连,第一反相器U1的输入端接Vin,第一反相器U1的电源端接VDDL,第二反相器U2的输入端与第三二极管D3的负极相连,第二反相器U2的输出端接Vout,第二反相器U2的电源端接VDDH。
2.按照权利要求1所述的一种低功耗高压电平移位电路,其特征在于:所述电路中VDDH和VDDL为将要电平移位的高低电压。
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