[发明专利]一种低功耗高压电平移位电路

说明书

一种低功耗高压电平移位电路，包含第一MOS管M₁，第二MOS管M₂，第三MOS管M₃，第四MOS管M₄，第五MOS管M₅，第六MOS管M₆，第七MOS管M₇，第八MOS管M₈，第九MOS管M₉，第一二极管D₁，第二二极管D₂，第三二极管D₃，第一反相器U₁，第二反相器U₂。本发明在传统电流镜电平移位电路的基础上增加二极管和额外的MOS管，从而使电路能够在高压下稳定工作和达到降低功耗的目的。

技术领域

本发明涉及，特别提供了一种低功耗高压电平移位电路，利用二极管反向工作特性和增加辅助电路，使得电路有很低的静态功耗，和稳定的电压输出，同时还降低了在高压下MOS管的工艺要求。

背景技术

目前，一方面随着工艺的不断提高，特征尺寸的不断减小，功耗问题已经变成了集成电路设计中主要要考虑的问题，另一方面电平移位电路作为连接控制电路和输出驱动级的关键电路，需要有很高的驱动能力，而且是高电压工作，所以高耐压，大电流，高精度，低功耗的电平移位电路变得尤为重要，本发明提供了一种在传统电平移位电路基础上的改进方法，能够很好的解决上述问题。

发明内容

一种低功耗高压电平移位电路包含第一MOS管M₁，第二MOS管M₂，第三MOS管M₃，第四MOS管M₄，第五MOS管M₅，第六MOS管M₆，第七MOS管M₇，第八MOS管M₈，第九MOS管M₉，第一二极管D₁，第二二极管D₂，第三二极管D₃，第一反相器U₁，第二反相器U₂，其中第一MOS管M₁、第二MOS管M₂和第四MOS管M₄的源极均连接到V_DDH，第一MOS管M₁的栅极与第六MOS管M₆的漏极相连，第一MOS管M₁的漏极连接到第三MOS管M₃的源极，第二MOS管M₂的栅极与第六MOS管M₆的漏极相连，第二MOS管M₂的漏极连接到第五MOS管M₅的源极，第三MOS管M₃的栅极分别与其自身的漏极和第四MOS管M₄的栅极相连，第三MOS管M₃的漏极接第一二极管D₁的负极，第四MOS管M₄的漏极与第六MOS管M₆的源极相连，第五MOS管M₅的栅极分别与其自身的漏极和第六MOS管M₆的栅极相连，第五MOS管M₅的漏极连接到第二二极管D₂的负极，第六MOS管M₆的漏极与第三二极管D₃的负极相连，第七MOS管M₇、第八MOS管M₈和第九MOS管M₉的源极均连接到地，第七MOS管M₇和第九MOS管M₉的栅极均连接到第一反相器U₁的输出端，第七MOS管M₇的漏极与第一二极管D₁的正极相连，第八MOS管M₈的栅极连接到V_in，第八MOS管M₈的漏极与第三二极管D₃的正极相连，第九MOS管M₉的漏极与第二二极管D₂的正极相连，第一反相器U₁的输入端接V_in，第一反相器U₁的电源端接V_DDL，第二反相器U₂的输入端与第三二极管D₃的负极相连，第二反相器U₂的输出端接V_out，第二反相器U₂的电源端接V_DDH。