[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

衬底；

多个第1导电层，在与所述衬底的表面交叉的第1方向上排列，且在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸；

第1半导体柱，在所述第1方向上延伸，且与所述多个第1导电层对向；

第1位线，在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上延伸，且设置在从所述第1方向观察时与所述第1半导体柱重叠的位置；

第1配线，包含从所述第1方向观察时与所述第1位线重叠的部分；及

第2配线，包含从所述第1方向观察时与所述第1位线重叠的部分；且

当将所述第1配线的电压从高电位状态转变为低电位状态的规定期间设为第1期间，

将所述第2配线的电压从低电位状态转变为高电位状态的规定期间设为第2期间时，

所述第2期间的至少一部分与所述第1期间的至少一部分重叠。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

当将所述第1配线的电压从低电位状态转变为高电位状态且在所述第1期间之后的规定期间设为第3期间，

将所述第2配线的电压从高电位状态转变为低电位状态且在所述第2期间之后的规定期间设为第4期间时，

所述第4期间的至少一部分与所述第3期间的至少一部分重叠。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，

具备第3配线，所述第3配线包含从所述第1方向观察时与所述第1位线重叠的部分，

当将所述第3配线的电压从高电位状态转变为低电位状态且在所述第3期间之后的规定期间设为第5期间，

将所述第2配线的电压从低电位状态转变为高电位状态且在所述第4期间之后的规定期间设为第6期间时，

所述第6期间的至少一部分与所述第5期间的至少一部分重叠。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体存储装置，其中

所述第1期间及所述第2期间包含在如下期间内，所述期间是读出动作中对所述第1位线的充电开始到对所述第1位线的感测动作结束为止的期间。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体存储装置，其中

所述第1期间及所述第2期间包含在如下期间内，所述期间是写入动作中对所述第1位线的充电开始到对所述多个第1导电层的任一个供给编程电压结束为止的期间。