[发明专利]发光二极管及发光装置

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：

外延结构，由下至上包括依次堆叠的第一导电型半导体层、发光层以及第二导电型半导体层；

第一绝缘层，设置在所述外延结构上，并具有第一开口与第二开口；

连接电极，包括第一连接电极与第二连接电极，所述第一连接电极与所述第二连接电极是间隔预设距离地设置在所述第一绝缘层上，所述第一连接电极通过所述第一开口而电连接所述第一导电型半导体层，所述第二连接电极通过所述第二开口而电连接所述第一导电型半导体层；以及

第二绝缘层，设置在所述连接电极上，并具有第三开口与第四开口，所述第三开口位于所述第一连接电极的上方，所述第四开口位于所述第二连接电极的上方；

焊盘，包括第一焊盘与第二焊盘，所述第一焊盘与所述第二焊盘是间隔预设距离地设置在所述第二绝缘层上，所述第一焊盘通过所述第三开口电连接所述第一连接电极，所述第二焊盘通过所述第四开口而电连接所述第二连接电极；

其中，所述第四开口的水平投影面积不小于所述第二连接电极的水平投影面积的50％。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二连接电极的边缘与所述第二绝缘层的第四开口的边缘具有一第一最小间距，所述第一最小间距是小于等于30微米。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二连接电极的水平投影面积占所述第二焊盘的水平投影面积的比例大于50％且小于100％。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二焊盘覆盖在所述第二连接电极上方，从所述发光二极管的上方俯视，所述第二焊盘的覆盖区域超出所述第二连接电极所在的区域边缘。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述第二连接电极的边缘与所述第二焊盘的边缘之间具有一第二最小间距，所述第二最小间距介于0～20微米。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二连接电极的边缘与所述第一连接电极的边缘之间具有一第三最小间距，所述第三最小间距大于5微米，但小于等于30微米。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方俯视，所述第二连接电极被所述第一连接电极所环绕。

8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方俯视，所述第二焊盘的边缘与所述第一连接电极的外侧边的边缘之间具有一第四最小间距，所述第四最小间距介于0～20微米。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括若干个导通孔，所述若干个导通孔是由所述第二导电型半导体层贯穿至所述第一导电型半导体层，以露出所述第一导电型半导体层，所述第一开口与所述导通孔位置相对应。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述若干个导通孔位于所述第二连接电极的外侧。

11.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述第二连接电极的边缘与所述导通孔的中心之间的间距小于等于100微米。

12.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述第二焊盘覆盖住部分所述导通孔。

13.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述第二焊盘覆盖住邻近所述第二连接电极的边缘的导通孔。

14.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管具有四个侧边，从所述发光二极管上方俯视，所述第二连接电极与所述发光二极管的四个侧边之间均存在所述导通孔。