[发明专利]发光二极管及发光装置

说明书

本发明提供一种发光二极管，包括外延结构、第一绝缘层、连接电极、第二绝缘层和焊盘，外延结构包括依次堆叠的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；第一绝缘层设置在外延结构上并有第一开口与第二开口；连接电极包括第一连接电极与第二连接电极，第一连接电极通过第一开口连接第一导电型半导体层，第二连接电极通过第二开口连接第一导电型半导体层；第二绝缘层设置在连接电极上并有位于第一连接电极上的第三开口与位于第二连接电极上的第四开口，第四开口的面积不小于第二连接电极的面积的50％，第一焊盘通过第三开口连接第一连接电极，第二焊盘通过第四开口连接第二连接电极。借此，可加强电流扩散和热扩散，并提升整体稳定性。

技术领域

本发明涉及发光二极管制造技术领域，特别涉及一种具有高可靠性的发光二极管及发光装置。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)具有成本低、光效高、节能环保等优点，被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等场景。LED芯片分为正装结构、倒装结构和垂直结构三种。与传统的正装芯片相比，倒装LED芯片结构是将二极管结构倒置，从蓝宝石一侧射出光线，而电极一侧可固定在散热更好的基板上。

目前，业内对倒装LED芯片结构的开发均已全面的展开，对倒装LED芯片结构的稳定性也提出了更高的要求。除了提升光电转换效率，减少热量的产生，提升散热能力外，还应尽可能的降低因封装基板应力较大对LED芯片结构带来的损伤。

现有的倒装LED芯片结构通常会采用p焊盘(pad)与n焊盘交叠的设计方式，并使用绝缘保护膜层做为p焊盘与n焊盘之间的电性隔离层，考虑到内部热阻问题，绝缘保护膜层过厚，散热会变差，但若是绝缘保护膜层较薄，其在老化过程中由于热损伤、外界应力等原因，会更为容易地被破坏，导致在p焊盘与n焊盘之间形成漏电通道，使得整个倒装LED芯片结构失效。因此，如何改善因绝缘保护膜层的破坏导致LED芯片的稳定性变差的问题，已成为本领域技术人员亟待解决的技术难题之一。

发明内容

为解决上述芯片结构稳定性较差的问题，本发明提供一种发光二极管，其包括外延结构、第一绝缘层、连接电极、第二绝缘层以及焊盘。

外延结构由下至上包括依次堆叠的第一导电型半导体层、发光层以及第二导电型半导体层。

第一绝缘层设置在外延结构上，并具有第一开口与第二开口。

连接电极包括第一连接电极与第二连接电极，第一连接电极与第二连接电极是间隔预设距离地设置在第一绝缘层上，第一连接电极通过第一开口而电连接第一导电型半导体层，第二连接电极通过第二开口而电连接第一导电型半导体层。

第二绝缘层设置在连接电极上，并具有第三开口与第四开口，第三开口位于第一连接电极的上方，第四开口位于第二连接电极的上方，其中，第四开口的水平投影面积不小于第二连接电极的水平投影面积的50％。

焊盘包括第一焊盘与第二焊盘，第一焊盘与第二焊盘是间隔预设距离地设置在第二绝缘层上，第一焊盘通过第三开口电连接第一连接电极，第二焊盘通过第四开口而电连接第二连接电极。

在一实施例中，所述第二连接电极的边缘与所述第二绝缘层的第四开口的边缘具有一第一最小间距，所述第一最小间距是小于等于30微米。

在一实施例中，所述第二连接电极的水平投影面积占所述第二焊盘的水平投影面积的比例大于50％且小于100％。

在一实施例中，所述第二焊盘覆盖在所述第二连接电极上方，从所述发光二极管的上方俯视，所述第二焊盘的覆盖区域超出所述第二连接电极所在的区域边缘。

在一实施例中，所述第二连接电极的边缘与所述第二焊盘的边缘之间具有一第二最小间距，所述第二最小间距介于0～20微米。