[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

栅极叠层，所述栅极叠层具有彼此交替层叠的导电层和绝缘层；

沟道层，所述沟道层穿过所述栅极叠层，所述沟道层突出超过所述栅极叠层的顶表面；

栅极衬垫，所述栅极衬垫具有围绕所述栅极叠层的顶表面的第一部分和从所述第一部分突出并且围绕各个沟道层的第二部分；以及

隔离绝缘层，所述隔离绝缘层形成在所述栅极叠层上并且穿过所述栅极衬垫的所述第一部分，

其中，所述第二部分当中的至少一个第二部分比所述第一部分更远地突出到所述隔离绝缘层中。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个第二部分邻近所述隔离绝缘层，并且所述隔离绝缘层围绕所述至少一个第二部分的侧壁的一部分。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述沟道层中的每一个包括：

第一沟道图案，所述第一沟道图案穿过所述栅极叠层；以及

第二沟道图案，所述第二沟道图案联接到所述第一沟道图案，所述第二沟道图案突出到所述栅极叠层的顶表面上方。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述栅极衬垫围绕所述第二沟道图案的侧壁。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，所述半导体装置还包括绝缘芯，所述绝缘芯具有形成在所述第一沟道图案中的第一部分和形成在所述第二沟道图案中的第二部分，其中，所述第二部分比所述第一部分具有更小的宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括插置在所述栅极衬垫和所述沟道层之间并且插置在所述栅极衬垫和所述栅极叠层之间的栅极绝缘衬垫。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述隔离绝缘层穿过所述栅极绝缘衬垫。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述隔离绝缘图案的侧壁包括分别围绕所述第二部分的凹陷部分，以及在所述第二部分之间突出的突出部分。

9.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

栅极叠层，所述栅极叠层具有彼此交替层叠的导电层和绝缘层；

第一沟道图案，所述第一沟道图案穿过所述栅极叠层；

第二沟道图案，所述第二沟道图案联接到所述第一沟道图案，所述第二沟道图案突出到所述栅极叠层的顶表面上方；

绝缘芯，所述绝缘芯形成在所述第一沟道图案中，所述绝缘芯延伸到所述第二沟道图案中；

栅极衬垫，所述栅极衬垫具有围绕所述栅极叠层的顶表面的第一部分和围绕所述第二沟道图案的侧壁的一部分的第二部分；以及

屏障图案，所述屏障图案联接到所述栅极衬垫，所述屏障图案围绕所述第二沟道图案的侧壁的其余部分。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述绝缘芯的形成在所述第二沟道图案中的部分比所述绝缘芯的形成在所述第一沟道图案中的部分具有更小的宽度。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，所述半导体装置还包括形成在所述栅极叠层上的隔离绝缘层，所述隔离绝缘层穿过所述栅极衬垫的所述第一部分。

12.根据权利要求9所述的半导体装置，所述半导体装置还包括插置在所述栅极衬垫和所述栅极叠层之间并且插置在所述栅极衬垫和所述第二沟道图案之间的栅极绝缘衬垫，所述栅极绝缘衬垫在所述屏障图案和所述第二沟道图案之间延伸。