[发明专利]电容器基板及其形成方法在审
申请号: | 202110913190.6 | 申请日: | 2021-08-10 |
公开(公告)号: | CN113838976A | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 黄文宏 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L49/02 | 分类号: | H01L49/02 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容器 及其 形成 方法 | ||
1.一种电容器基板,其特征在于,包括:
基板,具有金属核心层,
第一贯穿通孔,穿过所述基板并用作电容器的第一电极;
第一通孔,延伸至所述金属核心层并与所述第一贯穿通孔电连接;
第二贯穿通孔,穿过所述基板并用作所述电容器的第二电极;
第二通孔,延伸至所述金属核心层并与所述第二贯穿通孔电连接;
其中,所述金属核心层暴露于所述第一贯穿通孔处而不暴露于所述第二贯穿通孔处,所述金属核心层与所述第一贯穿通孔的交界面处具有第一金属层,所述金属核心层与所述第一通孔和所述第二通孔的交界面处具有第二金属层。
2.根据权利要求1所述的电容器基板,其特征在于,所述第一贯穿通孔和所述第二贯穿通孔中的每个均包括穿过所述金属核心层的油墨材料以及围绕所述油墨材料的导电材料,并且所述油墨材料的上端表面和下端表面由所述导电材料暴露。
3.根据权利要求1所述的电容器基板,其特征在于,所述第一通孔和所述第二通孔中的每个的远离所述金属核心层的表面上具有凹坑。
4.根据权利要求1所述的电容器基板,其特征在于,所述第一通孔与所述第二通孔位于所述金属核心层的相对两侧。
5.根据权利要求1所述的电容器基板,其特征在于,所述金属核心层的金属核心包括铝材料。
6.根据权利要求5所述的电容器基板,其特征在于,所述金属核心层还包括覆盖所述铝材料的介电层和覆盖所述介电层的电容器金属层。
7.根据权利要求6所述的电容器基板,其特征在于,所述第二金属层与所述电容器金属层接触。
8.根据权利要求1所述的电容器基板,其特征在于,所述第一贯穿通孔和所述第二贯穿通孔中的每个具有远离所述金属核心层的开口,其中,所述第一贯穿通孔和所述第二贯穿通孔中的每个的金属材料在靠近所述开口处的晶格尺寸大于远离所述开口处的晶格尺寸。
9.根据权利要求1所述的电容器基板,其特征在于,所述第一通孔和所述第二通孔中的每个具有远离所述金属核心层的开口,其中,所述第一通孔和所述第二通孔中的每个在靠近所述开口处的晶格尺寸大于远离所述开口处的晶格尺寸。
10.根据权利要求1所述的电容器基板,其特征在于,所述第一金属层和所述第二金属层中的每个的材料包括锌和镍。
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