[发明专利]电容器基板及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202110913190.6 申请日: 2021-08-10
公开(公告)号: CN113838976A 公开(公告)日: 2021-12-24
发明(设计)人: 黄文宏 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L49/02 分类号: H01L49/02
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电容器 及其 形成 方法
【说明书】:

发明涉及一种电容器基板及其形成方法。该电容器基板包括:基板,具有金属核心层,第一电极,包括穿过金属核心层的第一贯穿通孔和连接至金属核心层的第一通孔;第二电极,包括穿过基板的第二贯穿通孔和连接至金属核心层的第二通孔;其中,金属核心层暴露于第一贯穿通孔处而不暴露于第二贯穿通孔处,金属核心层与第一贯穿通孔的交界面处具有第一金属层,金属核心层与第一通孔和第二通孔的交界面处具有第二金属层。本发明的上述技术方案至少能够至少可以减少电容器基板制程步骤。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域,更具体地,涉及一种电容器基板及其形成方法。

背景技术

图1是现有的电容器基板的制作方法的各个阶段的示意图。在现有的电容器基板(诸如铝电容器基板)的制作方式中,如图1A所示,是先在基板10中形成穿孔(Through Via)12。然后如图1B所示,再执行第一次电镀制程而将导电材料(诸如铜)20电镀于穿孔12中和基板10的表面上。之后如图1C所示,在穿孔12内的剩余空间填充油墨材料22并形成覆盖油墨材料22的导电材料20。如图1D所示,形成盲孔(Blind Via)14,并且再进行另一次电镀制程而在盲孔14中填充导电材料20,如图1E。对导电材料20进行图案化,以此完成电容器的阳极区域18与阴极区域19的电极制作,如图1F所示。但是,现有的上述制程过程比较繁复。

此外,现有技术电容器基板中的电容器金属层材料为Al(铝),而Al为两性金属,因此Al接触酸性或碱性容易都很容易受到咬蚀,将会影响整个电容器的效益。若能减少制程步骤,避免或降低Al被咬蚀的可能,则可确保电容器效益。

发明内容

针对相关技术中的电容器基板制作步骤流程数量过多的问题,本发明提出一种电容器基板及其形成方法,至少可以减少电容器基板制程步骤。

根据本发明实施例的一个方面,提供了一种电容器基板,包括:基板,具有金属核心层,第一贯穿通孔,穿过基板并用作电容器的第一电极;第一通孔,延伸至金属核心层并与第一贯穿通孔电连接;第二贯穿通孔,穿过基板并用作电容器的第二电极;第二通孔,延伸至金属核心层并与第二贯穿通孔电连接。其中,金属核心层暴露于第一贯穿通孔处而不暴露于第二贯穿通孔处,金属核心层与第一贯穿通孔的交界面处具有第一金属层,金属核心层与第一通孔和第二通孔的交界面处具有第二金属层。

在一些实施例中,第一贯穿通孔和第二贯穿通孔中的每个均包括穿过金属核心层的油墨材料以及围绕油墨材料的导电材料,并且油墨材料的上端表面和下端表面由导电材料暴露。

在一些实施例中,第一通孔和第二通孔中的每个的远离金属核心层的表面上具有凹坑。

在一些实施例中,第一通孔与第二通孔位于金属核心层的相对两侧。

在一些实施例中,金属核心层的金属核心包括铝材料。

在一些实施例中,金属核心层还包括覆盖铝材料的介电层和覆盖介电层的电容器金属层。

在一些实施例中,第二金属层与电容器金属层接触。

在一些实施例中,第一贯穿通孔和第二贯穿通孔中的每个具有远离金属核心层的开口,其中,第一贯穿通孔和第二贯穿通孔中的每个的金属材料在靠近开口处的晶格尺寸大于远离开口处的晶格尺寸。

在一些实施例中,第一通孔和第二通孔中的每个具有远离金属核心层的开口,其中,第一通孔和第二通孔中的每个在靠近开口处的晶格尺寸大于远离开口处的晶格尺寸。

在一些实施例中,第一金属层和第二金属层中的每个的材料包括锌和镍。

在一些实施例中,第一电极为电容器基板的阳极,第二电极为电容器基板的阴极。

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