[发明专利]DRAM DLL时序温度自适应校准方法及系统

权利要求书

1.一种DRAM DLL时序温度自适应校准方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取SSD上电工况；

当SSD上电时，控制预定时间周期获取SSD温度；

根据预定时间周期获取的SSD温度，获取SSD运行过程中的温度变化工况；

当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并启动对DRAM的相差校准，控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准；

控制通过DQS读写DRAM数据；

所述“当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并启动对DRAM的相差校准，控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准”步骤，具体包括以下步骤：

当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并控制DQS数据传输时序相位产生偏移；

当DQS数据传输时序相位产生偏移时，读写DRAM，获取数据传输时序的最佳相位区间；

根据获取的数据传输时序的最佳相位区间，控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准，并获取与SSD当前温度相适应的DQS最优相位。

2.如权利要求1所述的DRAM DLL时序温度自适应校准方法，其特征在于，所述“当DQS数据传输时序相位产生偏移时，读写DRAM，获取数据传输时序的最佳相位区间”步骤，具体包括以下步骤：

当DQS数据传输时序相位产生偏移时，读写DRAM，获取DQS数据传输时序和DQ数据传输时序的相位区间；

将读写DRAM数据正确的连续的DQS相位点组成的区间，作为数据传输时序的最佳相位区间。

3.如权利要求1所述的DRAM DLL时序温度自适应校准方法，其特征在于，所述“控制通过DQS读写DRAM数据”步骤之后，还包括以下步骤：

对固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度进行自适应持续校准。

4.如权利要求3所述的DRAM DLL时序温度自适应校准方法，其特征在于，所述“对固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度进行自适应持续校准”步骤，具体包括以下步骤：

获取上次相差校准启动时SSD的实时温度；

将上次相差校准启动时SSD的实时温度作为下次相差校准启动的新的温度采集窗口开启基准；

控制预定时间周期获取SSD温度，将预定时间周期新获取的SSD温度纳入新的温度采集窗口内；

当SSD运行过程中在新的温度采集窗口内温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并启动对DRAM的相差校准，控制通过DLL对DQS数据传输时序的相位进行调整，直至DQS数据传输时序的边缘与DQ数据传输时序的中心对齐。

5.如权利要求3所述的DRAM DLL时序温度自适应校准方法，其特征在于，所述“对固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度进行自适应持续校准”步骤，持续运行直至SSD断电关机。

6.如权利要求1所述的DRAM DLL时序温度自适应校准方法，其特征在于，所述“控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准”步骤，具体包括以下步骤：

控制通过DLL对DQS数据传输时序的相位进行调整，直至DQS数据传输时序的边缘与DQ数据传输时序的中心对齐。