[发明专利]DRAM DLL时序温度自适应校准方法及系统

说明书

本发明提供了一种DRAM DLL时序温度自适应校准方法及系统，方法包括以下步骤：获取SSD上电工况；当SSD上电时，控制预定时间周期获取SSD温度；根据预定时间周期获取的SSD温度，获取SSD运行过程中的温度变化工况；当SSD运行过程中的温度变化超过温差阈值时，控制暂停对DRAM的数据访问并启动对DRAM的相差校准，控制通过DLL对固态硬盘系统中DRAM时序温度进行自适应初次校准；控制通过DQS读写DRAM数据。本发明提供的DRAM DLL时序温度自适应校准方法，通过实时监测SSD的温度，并根据温度变化自适应地对DRAM进行相差训练，降低变温环境下相位差引发的数据出错风险。

技术领域

本发明涉及数据传输技术领域，具体是涉及一种固态硬盘系统中DRAM DLL时序温度自适应校准方法及系统。

背景技术

SSD是一种由SSD控制器加上NAND flash闪存阵列组成的存储设备。为了提高性能，SSD要DRAM芯片做数据缓存，以减少读取FTL映射表而产生的频繁访问NAND flash带来的性能开销。目前主流DRAM的数据总线频率一般在800-1600MHZ，在高速数据传输过程中，传输时序的正确性对于数据传输是至关重要的。从DRAM中读取数据时，一个重要的时序参数是DQS与DQ之间的相位关系。理想情况下，DQS的边缘应与DQ的中心对齐，即相位相差90度，但是实际上因为外界因素(温度、PCB走线)的影响，这一条件很难满足。目前已有的方案是，每次SSD上电的时候做一次DLL校准，它通过调整DQS对应的DLL来调整DQS边沿和DQ的时序关系，然后通过数据读写的结果，得到一个合适的相位窗口，选择窗口中间的值作为最终的DQS相位。

现有方案最大的问题是没有考虑到温度对于DLL校准的结果的影响，当SSD工作在工业环境中(-40℃-85℃)时，固定的DLL相差调整结果并不能适应环境温度的剧烈变化，此时可能会使数据在读取时出错，导致系统宕机。

为了更好的说明这一问题，通过模拟真实的应用场景，在高低温温箱环境中，分别采集-40℃，25℃和104℃(考虑到85℃时设备的温升接近20℃)情况下，SSD开机上电DRAM做DLL相差调整得出的最优相位结果，并反复做了26次，将每次的结果如图1所示，具体的参试设备参数如表1所示。

表1 DLL相差调整参数设备参数表