[发明专利]一种LED芯片转移方法及显示面板

权利要求书

1.一种LED芯片转移方法，其特征在于，包括：

在第一基板的芯片承载面上设置热解胶膜，所述热解胶膜包覆所述芯片承载面上的芯片阵列，所述芯片阵列中包括多颗呈阵列排布的LED芯片；

采用第二基板的一面粘接所述热解胶膜远离所述第一基板的一面，并分离所述芯片阵列与所述第一基板；

通过转移头拾取所述第二基板上待转移的目标LED芯片，并加热所述热解胶膜，至所述目标LED芯片与所述热解胶膜分离；

将所述转移头上的所述目标LED芯片与驱动基板键合。

2.如权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，所述在第一基板的芯片承载面上设置热解胶膜包括：

在所述第一基板的所述芯片承载面上设置热解胶以形成包覆所述芯片阵列的所述热解胶膜。

3.如权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，所述热解胶膜覆盖于所述LED芯片上的部分的厚度为1～3um。

4.如权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，所述第一基板为所述LED芯片的生长基板，所述LED芯片处于所述第一基板上时，其芯片电极位于其外延层远离所述第一基板的一侧，所述热解胶膜附着在所述芯片电极上。

5.如权利要求1-4任一项所述的LED芯片转移方法，其特征在于，所述采用第二基板的一面粘接所述热解胶膜远离所述第一基板的一面包括：

控制所述第二基板在80～150℃的温度条件下，2～7kg·m/s²的压力条件下粘接所述热解胶膜远离所述第一基板的一面。

6.如权利要求1-4任一项所述的LED芯片转移方法，其特征在于，所述通过转移头拾取所述第二基板上待转移的目标LED芯片，并加热所述热解胶膜包括：

通过所述转移头对所述目标LED芯片施压，并利用所述转移头对所述热解胶膜加热，直至所述目标LED芯片附着在所述转移头上并与所述热解胶膜分离，加热温度为160～200℃，施压压力为1～6kg·m/s²。

7.如权利要求1-4任一项所述的LED芯片转移方法，其特征在于，所述将所述转移头上的所述目标LED芯片与驱动基板键合包括：

所述转移头以120～200℃的键合温度，3～8kg·m/s²的键合压力下键合所述目标LED芯片与所述驱动基板。

8.如权利要求1-4任一项所述的LED芯片转移方法，其特征在于，所述将所述转移头上的所述目标LED芯片与驱动基板键合之后，还包括：

去除所述目标LED芯片上的残余热解胶。

9.如权利要求8所述的LED芯片转移方法，其特征在于，所述去除所述目标LED芯片上的残余热解胶包括：

通过电离氧气和氮气中的至少一种以产生等离子体，并利用所述等离子体清洗所述目标LED芯片上残余的热解胶。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板中包括驱动基板以及多颗LED芯片，所述多颗LED芯片中的至少部分通过如权利要求1-9任一项所述的LED芯片转移方法转移至所述驱动基板。