[发明专利]一种LED芯片转移方法及显示面板在审
申请号: | 202110913769.2 | 申请日: | 2021-08-10 |
公开(公告)号: | CN115706130A | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
发明(设计)人: | 邓霞;萧俊龙;崔丽君 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 李发兵 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 芯片 转移 方法 显示 面板 | ||
本申请涉及一种LED芯片转移方法及显示面板,在LED芯片的转移过程中,利用LED芯片上的热解胶膜实现了LED芯片与第二基板的可靠结合,提升了LED芯片从第一基板到第二基板的转移良率,同时,第二基板与热解胶膜的一次转移就可以实现第一基板上全部LED芯片的转移,提升了LED芯片从第一基板到第二基板的转移效率。在利用转移头转移目标LED芯片到驱动基板时,通过加热即可使得粘接目标LED芯片的热解胶膜失效,让LED芯片与第二基板可以轻松迅速的分离,提升了LED芯片从第二基板到驱动基板的转移效率与转移良率。
技术领域
本申请涉及显示领域,尤其涉及一种LED芯片转移方法及显示面板。
背景技术
LED芯片在晶圆上制备完成以后,通常需要通过两次甚至两次以上的转移才能被键合到驱动背板上实现显示面板的制备,在转移LED芯片的过程中,不仅需要将LED芯片与该LED芯片的受方承载体结合,同时还需要让LED芯片与其供方承载体分离,但目前的LED芯片转移方案中,要么存在LED芯片与受方承载体结合不可靠的问题,要么存在LED芯片与供方承载体难以分离,导致LED芯片转移效率与良率不高。
因此,如何提升LED芯片的转移效率与转移良率是目前亟待解决的问题。
发明内容
鉴于上述相关技术的不足,本申请的目的在于提供一种LED芯片转移方法及显示面板,旨在解决相关技术中对LED芯片的转移方案存在LED芯片与受方承载体结合不可靠或LED芯片与供方承载体难以分离的问题。
本申请提供一种LED芯片转移方法,包括:
在第一基板的芯片承载面上设置热解胶膜,热解胶膜包覆芯片承载面上的芯片阵列,芯片阵列中包括多颗呈阵列排布的LED芯片;
采用第二基板的一面粘接热解胶膜远离第一基板的一面,并分离芯片阵列与第一基板;
通过转移头拾取第二基板上待转移的目标LED芯片,并加热热解胶膜,至目标LED芯片与热解胶膜分离;
将转移头上的目标LED芯片与驱动基板键合。
上述LED芯片转移方法中,通过在第一基板的LED芯片上设置热解胶膜包覆芯片承载面上的芯片阵列,然后采用第二基板的一面粘接热解胶膜,并分离芯片阵列与第一基板,从而使得LED芯片从第一基板被转移到第二基板上,接着再通过转移头拾取第二基板上待转移的目标LED芯片,并加热热解胶膜,至目标LED芯片与热解胶膜分离,从而使得目标LED芯片被转移到转移头上,随后再被键合到驱动基板上。在整个LED芯片的转移过程中,利用LED芯片上的热解胶膜实现了LED芯片与第二基板的可靠结合,提升了LED芯片从第一基板到第二基板的转移良率,同时,第二基板与热解胶膜的一次转移就可以实现第一基板上全部LED芯片的转移,提升了LED芯片从第一基板到第二基板的转移效率。在利用转移头转移目标LED芯片到驱动基板时,通过加热即可使得粘接目标LED芯片的热解胶膜失效,让LED芯片与第二基板可以轻松迅速的分离,提升了LED芯片从第二基板到驱动基板的转移效率与转移良率。
可选地,在第一基板的芯片承载面上设置热解胶膜包括:
在第一基板的芯片承载面上设置热解胶以形成包覆芯片阵列的热解胶膜。
上述LED芯片转移方法中,热解胶膜直接通过在第一基板的芯片承载面上设置热解胶形成,这样可以降低设置包覆LED芯片的热解胶膜所需要的成本,提升LED芯片转移效率。
可选地,热解胶膜覆盖于LED芯片上的部分的厚度为1~3um。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的