[发明专利]发光器件及其制作方法和测试方法

权利要求书

1.一种发光器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供LED单元，所述LED单元包括第一电极和第二电极；以及

在所述第一电极上形成第一变态件，在所述第二电极上形成第二变态件；

其中，所述第一变态件和所述第二变态件的材质为记忆金属，所述记忆金属具有变态温度，在低于所述变态温度时，所述记忆金属向四周延展，在高于所述变态温度时，所述记忆金属向中心团聚；

所述提供LED单元包括：

提供外延结构，所述外延结构包括第一凹槽和第二凹槽；

在所述外延结构上形成牺牲层，所述牺牲层在与所述第一凹槽和所述第二凹槽对应的位置镂空；

在所述牺牲层上形成电极层，所述电极层填充于所述第一凹槽的部分形成所述第一电极，所述电极层填充于所述第二凹槽的部分形成所述第二电极。

2.如权利要求1所述的发光器件的制作方法，其特征在于，形成的所述第一电极相对所述第一凹槽的底壁的高度低于所述第一凹槽周围的所述电极层相对所述第一凹槽的底壁的高度。

3.如权利要求2所述的发光器件的制作方法，其特征在于，在所述第一电极上形成所述第一变态件，在所述第二电极上形成所述第二变态件，包括：

在所述电极层上形成记忆金属层，所述记忆金属层形成在所述第一电极上的部分形成所述第一变态件，所述记忆金属层形成在所述第二电极上的部分形成所述第二变态件。

4.如权利要求3所述的发光器件的制作方法，其特征在于，形成的所述第一变态件相对所述第一凹槽的底壁的高度低于所述第一凹槽周围的所述记忆金属层相对所述第一凹槽的底壁的高度。

5.如权利要求4所述的发光器件的制作方法，其特征在于，还包括：

撕离所述第一凹槽周围的所述记忆金属层、所述电极层和所述牺牲层，以留下所述第一电极和所述第一变态件。

6.如权利要求1至5任一项所述的发光器件的制作方法，其特征在于，所述发光器件的制作方法还包括：

提供衬底，在所述衬底上依次形成层叠的缓冲层、第一半导体层、有源层和第二半导体层；

自所述第二半导体层刻蚀至所述第一半导体层，形成位于所述第一半导体层的台阶面；

自所述台阶面刻蚀至所述衬底形成隔离槽；

在所述第二半导体层上形成电流扩展层；

沉积保护层，所述保护层覆盖所述电流扩展层和所述台阶面；以及

在所述保护层开设所述第一凹槽和所述第二凹槽，所述第一凹槽与所述电流扩展层连通，所述第二凹槽与所述第一半导体层连通。

7.一种发光器件，其特征在于，包括：

外延结构，包括第一凹槽和第二凹槽；

第一电极，形成在所述第一凹槽；

第二电极，形成在所述第二凹槽；以及

第一变态件和第二变态件，所述第一变态件覆盖在所述第一电极上，所述第二变态件覆盖在所述第二电极上；

其中，所述第一变态件和所述第二变态件的材质为记忆金属，所述记忆金属具有变态温度，在低于所述变态温度时，所述记忆金属向四周延展，在高于所述变态温度时，所述记忆金属向中心团聚。

8.一种发光器件的测试方法，其特征在于，

提供一测试机，使用所述测试机测试如权利要求7所述的发光器件；其中，所述测试机与所述发光器件的所述第一变态件和所述第二变态件连接，并在低于所述变态温度的环境中进行电性测量。

9.如权利要求8所述的发光器件的测试方法，其特征在于，所述变态温度为-45℃至-35℃。