[发明专利]发光器件及其制作方法和测试方法

说明书

本发明涉及一种发光器件及其制作方法和测试方法，发光器件的制作方法包括：提供LED单元，LED单元包括第一电极和第二电极；以及在第一电极上形成第一变态件，在第二电极上形成第二变态件；其中，第一变态件和第二变态件的材质为记忆金属，记忆金属具有变态温度，在低于变态温度时，记忆金属向四周延展，在高于变态温度时，记忆金属向中心团聚。利用记忆金属的材料特性，在低于变态温度时，记忆金属向四周延展，可对发光器件进行电性测量，以排除故障的发光器件，保障产品良率，在高于变态温度时，记忆金属向中心团聚，不影响发光器件的正常使用。

技术领域

本发明涉及半导体制程技术领域，尤其涉及一种发光器件及其制作方法和测试方法。

背景技术

在发光器件，例如Micro-LED(Micro-Light-emitting Diode，微型发光二极管)的制作过程中，巨量转移是发光器件实现产业化的主要瓶颈。显示屏由数以万计发光器件组成，发光器件的电性决定着显示屏色彩、老化等性能表现，在出厂前需要对发光器件进行测试，以确保产品合格。

发光器件测试时，由于测试机的合金弯针针尖尺寸大于发光器件的电极尺寸，无法对发光器件进行电性测量，难以保障产品良率。

因此，如何实现对发光器件进行电性测量是亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光器件及其制作方法和测试方法，旨在解决如何实现对发光器件进行电性测量的问题。

一种发光器件的制作方法，包括：提供LED单元，所述LED单元包括第一电极和第二电极；以及在所述第一电极上形成第一变态件，在所述第二电极上形成第二变态件；其中，所述第一变态件和所述第二变态件的材质为记忆金属，所述记忆金属具有变态温度，在低于所述变态温度时，所述记忆金属向四周延展，在高于所述变态温度时，所述记忆金属向中心团聚。

通过在第一电极上形成第一变态件，在第二电极上形成第二变态件，第一变态件和第二变态件的材质为记忆金属，利用记忆金属的材料特性，在低于变态温度时，记忆金属向四周延展，可对发光器件进行电性测量，以排除故障的发光器件，保障产品良率，在高于变态温度时，记忆金属向中心团聚，不影响发光器件的正常使用。

可选地，所述提供LED单元，包括：提供外延结构，所述外延结构包括第一凹槽和第二凹槽，所述发光器件的制作方法还包括：在所述外延结构上形成牺牲层，所述牺牲层在与所述第一凹槽和所述第二凹槽对应的位置镂空；在所述牺牲层上形成电极层，所述电极层填充于所述第一凹槽的部分形成所述第一电极，所述电极层填充于所述第二凹槽的部分形成所述第二电极。形成第一电极和第二电极的方法简单，工艺上容易实现。

可选地，形成的所述第一电极相对所述第一凹槽的底壁的高度低于所述第一凹槽周围的所述电极层相对所述第一凹槽的底壁的高度。如此设置，可方便后面去除多余的电极层并保留第一电极，由于存在高度差，可沿边界处机械撕离。

可选地，在所述第一电极上形成所述第一变态件，在所述第二电极上形成所述第二变态件，包括：在所述电极层上形成记忆金属层，所述记忆金属层形成在所述第一电极上的部分形成所述第一变态件，所述记忆金属层形成在所述第二电极上的部分形成所述第二变态件。由于记忆金属的特殊材料性能，可利用此性能实现发光器件的测试，同时又不影响正常的发光器件的使用。具体的，在低于变态温度时，记忆金属向四周延展，第一电极的电性连接的面积增大，大于第一电极的上表面的面积，第二电极的电性连接的面积增大，同样大于第二电极的上表面的面积，从而可减小测试机的合金弯针针尖尺寸与电极尺寸的差值，使得合金弯针针尖可以与第一电极和第二电极电性连接，从而可对发光器件进行电性测量。在高于变态温度时，记忆金属向中心团聚，不影响正常温度(例如室温)条件下发光器件的使用。