[发明专利]包含半导电柱结构的微电子装置以及相关方法和电子系统

权利要求书

1.一种微电子装置，其包括：

半导电柱结构，其各自个别地包括横向安置在两个存储节点接触区之间的数字线接触区，所述半导电柱结构中的至少一个半导电柱结构包括：

第一末端部分，其包括第一存储节点接触区；

第二末端部分，其包括第二存储节点接触区；以及

中间部分，其在所述第一末端部分与所述第二末端部分之间且包括所述数字线接触区，所述第一末端部分的纵向轴线相对于所述中间部分的纵向轴线成角度地定向。

2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述第二末端部分的纵向轴线相对于所述中间部分的所述纵向轴线成角度地定向。

3.根据权利要求2所述的微电子装置，其中所述第一末端部分的所述纵向轴线与所述第二末端部分的所述纵向轴线大体上平行。

4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述角度处于从约30°到约60°的范围内。

5.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述角度处于从约40°到约50°的范围内。

6.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述第一存储节点接触区从所述第二存储节点接触区纵向和横向偏移。

7.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的微电子装置，其进一步包括：

存储节点接触件，其在所述半导电柱结构中的每一个的所述两个存储节点接触区处；

数字线接触件，其在所述半导电柱结构中的每一个的所述数字线接触区处；

数字线，其个别地与所述半导电柱结构中的每一个的所述数字线接触件电连通；

字线，其在与所述数字线不同的方向上横向延伸，所述字线使所述中间部分与所述第一末端部分和所述第二末端部分中的每一个间隔开；以及

存储节点结构，其个别地与所述存储节点接触件电连通，且接近于所述数字线和所述字线的相交点定位。

8.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的微电子装置，其中第一半导电柱结构的所述数字线接触区横向邻近于第二半导电柱结构的存储节点接触区定位。

9.根据权利要求8所述的微电子装置，其中所述第一半导电柱的所述数字线接触区横向地位于所述第二半导电柱的所述存储节点接触区与第三半导电柱的存储节点接触区之间。

10.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的微电子装置，其中每一半导电柱结构的所述中间部分与数字线横向对准。

11.一种形成微电子装置的方法，所述方法包括：

在基底材料上方形成第一牺牲材料的第一线的图案且在邻近的第一线之间的空间中形成氮化物材料；

在所述第一线上方形成第二牺牲材料的第二线，所述第二牺牲材料的所述第二线相对于所述第一线以处于从约30°到约60°的范围内的第一角度定向；

在所述第二线的侧面上形成氧化物材料；

相对于所述氧化物材料选择性地移除所述第一牺牲材料、所述第二牺牲材料和所述氮化物材料中的每一个的部分；

在所述第一牺牲材料的剩余部分上方形成包括底层材料的第三线的图案，所述第三线的图案相对于所述第一线的所述剩余部分以第二角度定向；以及

通过所述第三线的图案移除对所述第一牺牲材料为选择性的所述氮化物材料的部分以形成柱结构的图案。

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括将所述柱结构的图案转印到所述基底材料以形成半导电柱结构的图案。

13.根据权利要求12所述的方法，其中形成半导电柱结构的图案包括形成各自在其中央部分处包括数字线接触区的半导电柱结构的图案，所述数字线接触区横向地在位于所述半导电柱结构的末端部分上的存储节点接触区之间。