[发明专利]包含半导电柱结构的微电子装置以及相关方法和电子系统

说明书

本申请案涉及包含半导电柱结构的微电子装置以及相关方法和电子系统。微电子装置包括半导电柱结构，所述半导电柱结构各自个别地包括横向安置在两个存储节点接触区之间的数字线接触区。所述半导电柱结构中的至少一个半导电柱结构包括：包括第一存储节点接触区的第一末端部分、包括第二存储节点接触区的第二末端部分，以及在所述第一末端部分与所述第二末端部分之间且包括数字线接触区的中间部分，所述第一末端部分的纵向轴线相对于所述中间部分的纵向轴线成角度地定向。还描述相关的微电子装置、电子系统和方法。

优先权要求

本申请要求2020年8月13日提交的名为“包含半导电柱结构的微电子装置以及相关方法和电子系统(MICROELECTRONIC DEVICES INCLUDING SEMICONDUCTIVE PILLARSTRUCTURES,AND RELATED METHODS AND ELECTRONIC SYSTEMS)”的第16/992,615号美国专利申请的申请日权益。

相关申请的交叉引用

本申请案涉及2020年8月13日提交的名为“包含半导电柱结构的微电子装置以及相关方法和电子系统(MICROELECTRONIC DEVICES INCLUDING SEMICONDUCTIVE PILLARSTRUCTURES,AND RELATED METHODS AND ELECTRONIC SYSTEMS)”的第16/992,589号美国专利申请案。

技术领域

在各种实施例中，本公开大体上涉及微电子装置设计和制造的领域。更具体地，本公开涉及形成包括半导电柱结构的微电子装置的方法，且涉及相关微电子装置和电子系统。

背景技术

半导体装置设计师通常希望通过减小个别特征的尺寸及通过减小相邻特征之间的分隔距离来增大半导体装置内的特征的集成度或密度。另外，半导体装置设计师通常希望设计不仅紧凑而且提供性能优势以及简化设计的架构。

相对常见的半导体装置是存储器装置。存储器装置可包含具有布置成网格图案的数个存储器单元的存储器阵列。一种类型的存储器单元是动态随机存取存储器(DRAM)。在最简单的设计配置中，DRAM单元包含一个存取装置，例如晶体管，以及一个存储装置，例如电容器。存储器装置的现代应用可利用大量的布置成行和列阵列的DRAM单位单元。可经由沿着阵列的行和列布置的数字线和字线来电存取DRAM单元。

减小存储器装置特征的尺寸和间距对用于形成存储器装置特征的方法有不断增加的需求。举例来说，存储器装置的持续缩小的限制因素之一是与DRAM单元的各种组件相关联的接触件之间的无意中短接。如本文所使用，“接触件”指代促进至少两个结构之间的导电路径的连接。举例来说，在展现双位存储器单元结构的DRAM装置中，数字线接触件提供于数字线与在衬底中或上方形成的存取装置(例如，晶体管)之间，且存储节点接触件形成于存取装置与可存储电荷的存储节点(例如，电容器)之间。随着存储器装置(例如，DRAM装置)特征的尺寸减小，与其相关联的接触件的充填密度增加，导致各种组件无意中短接在一起的可能性增加，这会不利地影响存储器装置性能。在一些实例中，数字线接触件可无意中接触存储节点接触件，从而将数字线电学短接到存储节点且导致与存储节点相关联的存储器单元的故障。

发明内容

在一些实施例中，一种微电子装置包括：半导电柱结构，其各自个别地包括横向安置在两个存储节点接触区之间的数字线接触区，所述半导电柱结构中的至少一个半导电柱结构包括：第一末端部分，其包括第一存储节点接触区；第二末端部分，其包括第二存储节点接触区；以及中间部分，其在所述第一末端部分与所述第二末端部分之间且包括所述数字线接触区，所述第一末端部分的纵向轴线相对于所述中间部分的纵向轴线成角度地定向。