[发明专利]半导体封装结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110919264.7 | 申请日： | 2021-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN113851431A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 叶昶麟;黄耀霆 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
基板；
中介层，电连接于所述基板的上表面，所述中介层包括分别设置有I/O的第一I/O面和第二I/O面，所述第一I/O面与所述第二I/O面不平行，所述中介层内包括分别与所述第一I/O面处的I/O和所述第二I/O面处的I/O连接的迹线和通孔，
其中，所述第一I/O面处的I/O或所述第二I/O面处的I/O中的一个是通孔切面，在俯视图中，所述通孔切面处的I/O是多个非同心圆通孔堆叠的一部分。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，在沿着所述多个非同心圆堆叠的方向上，所述通孔切面处的I/O具有不同的宽度。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一I/O面与所述基板连接，并且所述第一I/O面是所述通孔切面。
4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，在垂直于所述第二I/O面的方向上，所述中介层包括多个交替的通孔层与迹线层的堆叠。
5.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二I/O面处的I/O的最外层为焊料层。
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一I/O面与所述基板连接，并且所述第二I/O面是所述通孔切面。
7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，在垂直于所述第一I/O面的方向上，所述中介层包括多个交替的通孔层与迹线层的堆叠。
8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括模制物，所述模制物位于所述基板上方，所述第一I/O面与所述基板连接，所述模制物包围所述中介层且暴露出所述第二I/O面处的I/O。
9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一I/O面与所述第二I/O面垂直。
10.一种形成半导体封装结构的方法，其特征在于，包括：
形成具有通孔切面的中介层，其中，形成所述通孔切面包括：
在所述中介层中形成以多个非同心圆相互连接的方式配置的多个通孔；
在与所述多个非同心圆所在平面垂直的方向上，对所述中介层的所述多个通孔处进行切割以形成所述通孔切面，所述通孔切面是所述中介层的第一I/O面或是与所述第一I/O面不平行的第二I/O面，其中，所述第一I/O面处的I/O通过所述中介层内的线路与所述第二I/O面处的I/O相互连接；
通过所述第一I/O面将所述中介层电连接至基板。
11.根据权利要求10所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，所述通孔切面是所述第二I/O面，并且在将所述中介层电连接至所述基板之后执行对所述中介层的所述切割。
12.根据权利要求11所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，在将所述中介层电连接至所述基板之后，所述中介层中的多个线路层与所述基板平行。
13.根据权利要求10所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，所述通孔切面是所述第一I/O面，并且在将所述中介层电连接至所述基板之前执行对所述中介层的所述切割。
14.根据权利要求13所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，在将所述中介层电连接至所述基板之后，所述中介层的多个线路层与所述基板垂直。
15.根据权利要求10所述的形成半导体封装结构的方法，其特征在于，形成所述中介层还包括：
形成线路层；
在所述线路层上覆盖介电层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司，未经日月光半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110919264.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
