[发明专利]半导体封装结构及其形成方法

说明书

本发明涉及一种半导体封装结构及其形成方法。半导体封装结构包括：基板；中介层，电连接于基板的上表面，中介层包括分别设置有I/O的第一I/O面和第二I/O面，第一I/O面与第二I/O面不平行，中介层内包括分别与第一I/O面处的I/O和第二I/O面处的I/O连接的迹线和通孔，其中，第一I/O面处的I/O或第二I/O面处的I/O中的一个是通孔切面，在俯视图中，通孔切面处的I/O是多个非同心圆通孔堆叠的一部分。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种半导体封装结构及 其形成方法。

背景技术

针对现行人体穿戴设备，主要采用两个非共平面模块设计以符合穿戴 者需求，因此当前一主要目标是如何将两个非共平面模块进行电性连接。

参考图1A和图1B所示，目前设计中的一种，主要利用软板12作为 连接两个非共平面模块14、16之间的连接件(connector)来进行接合，以 符合人体曲面穿戴需求。然而此种设计具有体积大的缺点，并且当两个模 块中的任一模块故障(fail)时存在无法模块化更换的缺点。

参考图1C、图1D和图1E所示，目前设计中的另一种，是在模块中 的非水平面上通过焊锡(solder)21(图1C)、导电架22(图1D)或是接 合引线23(图1E)作为连接件直接外接IO。此种设计虽然可以缩小连接 件体积，但此种设计方式中外接线路间的节距(pitch)太大，不符合未来 细间距需求。

发明内容

针对相关技术中的上述体积大、无法模块化更换、及线路节距太大的问题， 本发明提出一种半导体封装结构及其形成方法。

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种半导体封装结构，包括： 基板；中介层，电连接于基板的上表面，中介层包括分别设置有I/O的第 一I/O面和第二I/O面，第一I/O面与第二I/O面不平行，中介层内包括分 别与第一I/O面处的I/O和第二I/O面处的I/O连接的迹线和通孔，其中， 第一I/O面处的I/O或第二I/O面处的I/O中的一个是通孔切面，在俯视图 中，通孔切面处的I/O是多个非同心圆通孔堆叠的一部分。

在一些实施例中，在沿着多个非同心圆堆叠的方向上，通孔切面处的 I/O具有不同的宽度。

在一些实施例中，第一I/O面与基板连接，并且第一I/O面是通孔切面。

在一些实施例中，在垂直于第二I/O面的方向上，中介层包括多个交 替的通孔层与迹线层的堆叠。

在一些实施例中，第二I/O面处的I/O的最外层为焊料层。

在一些实施例中，第一I/O面与基板连接，并且第二I/O面是通孔切面。

在一些实施例中，在垂直于第一I/O面的方向上，中介层包括多个交 替的通孔层与迹线层的堆叠。

在一些实施例中，半导体封装结构还包括模制物，模制物位于基板上 方，第一I/O面与基板连接，模制物包围中介层且暴露出第二I/O面处的 I/O。

在一些实施例中，第一I/O面与第二I/O面垂直。

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种形成半导体封装结构的方 法，包括：形成具有通孔切面的中介层，其中，形成通孔切面包括：在中 介层中形成以多个非同心圆相互连接的方式配置的多个通孔；在与多个非 同心圆所在平面垂直的方向上，对中介层的多个通孔处进行切割以形成通 孔切面，通孔切面是中介层的第一I/O面或是与第一I/O面不平行的第二 I/O面，其中，第一I/O面处的I/O通过中介层内的线路与第二I/O面处的 I/O相互连接；通过第一I/O面将中介层电连接至基板。

在一些实施例中，通孔切面是第二I/O面，并且在将中介层电连接至 基板之后执行对中介层的切割。