[发明专利]一种IC生产中AlSiCu连接层的干法刻蚀方法在审
| 申请号： | 202110919419.7 | 申请日： | 2021-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN115706011A | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 叶联;马兵;彭泰彦;车东晨;胡冬冬;许开东 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 藏斌 |
| 地址： | 221300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ic 生产 alsicu 连接 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种IC生产中AlSiCu连接层的干法刻蚀方法，包括以下步骤：
对半导体器件上AlSiCu连接层的待刻蚀区域进行干法刻蚀；
所述干法刻蚀的过程中，所采用工艺气体为氯气、氯化硼和氩气的混合气，所述氯气、氯化硼和氩气的体积比为(10～14)：(6～10)：(3～8)；
所述干法刻蚀的过程中，下射频功率为100～260W，上射频功率为800～1200W。
2.根据权利要求1所述的干法刻蚀方法，其特征在于，所述氯气、氯化硼和氩气的体积比为12：8：(3～8)。
3.根据权利要求2所述的干法刻蚀方法，其特征在于，所述氯气、氯化硼和氩气的体积比为12：8：(3～5)。
4.根据权利要求1所述的干法刻蚀方法，其特征在于，所述下射频功率为200～240W。
5.根据权利要求1所述的干法刻蚀方法，其特征在于，所述上射频功率为1000W。
6.根据权利要求1所述的干法刻蚀方法，其特征在于，所述AlSiCu连接层的Si参杂量为0.5～1wt％。
7.根据权利要求1所述的干法刻蚀方法，其特征在于，所述AlSiCu连接层的Cu参杂量为0.2～0.7wt％。
8.根据权利要求1所述的干法刻蚀方法，其特征在于，所述AlSiCu连接层的厚度为2～10μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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