[发明专利]一种IC生产中AlSiCu连接层的干法刻蚀方法

说明书

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种IC生产中AlSiCu连接层的干法刻蚀方法。该方法包括以下步骤：对半导体器件上AlSiCu连接层的待刻蚀区域进行干法刻蚀；所述干法刻蚀的过程中，所采用工艺气体为氯气、氯化硼和氩气的混合气，氯气、氯化硼和氩气的体积比为(10～14)：(6～10)：(3～8)；所述干法刻蚀的过程中，下射频功率为100～260W，上射频功率为800～1200W。本发明提供的方法通过在工艺气体中增加一定比例的氩气以及搭配合适的刻蚀射频功率，能够在保证形貌要求的前提下减少刻蚀残留，从而提高产品的性能和良率。该方法可以运用到大规模量产干法刻蚀AlSiCu产品上，具有良好的市场前景。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种IC生产中AlSiCu连接层的干法刻蚀方法。

背景技术

伴随着半导体技术的发展，金属铝作为集成电路(IC)的连接层材料一直沿用至今。目前，在采用金属铝作为连接层材料时，通常还会在Al中参杂少量Si和Cu，即形成AlSiCu合金，来防止电迁移。

Si和Cu的参杂虽然可以有效改善Al连接层电迁移的问题，但由于铝在生长过程中存在晶格，而Si和Cu会嵌入在Al晶格里，从而导致连接层在进行刻蚀时难以完全除掉Si和Cu，进而在刻蚀区域底部留下刻蚀残留物，不仅影响外观，还会严重影响产品的性能。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种IC生产中AlSiCu连接层的干法刻蚀方法，该方法能够有效改善AlSiCu刻蚀残留的问题。

本发明提供了一种IC生产中AlSiCu连接层的干法刻蚀方法，包括以下步骤：

对半导体器件上AlSiCu连接层的待刻蚀区域进行干法刻蚀；

所述干法刻蚀的过程中，所采用工艺气体为氯气、氯化硼和氩气的混合气，所述氯气、氯化硼和氩气的体积比为(10～14)：(6～10)：(3～8)；

所述干法刻蚀的过程中，下射频功率为100～260W，上射频功率为800～1200W。

优选的，所述氯气、氯化硼和氩气的体积比为12：8：(3～8)。

优选的，所述氯气、氯化硼和氩气的体积比为12：8：(3～5)。

优选的，所述下射频功率为200～240W。

优选的，所述上射频功率为1000W。

优选的，所述AlSiCu连接层的Si参杂量为0.5～1wt％。

优选的，所述AlSiCu连接层的Cu参杂量为0.2～0.7wt％。

优选的，所述AlSiCu连接层的厚度为2～10μm。

与现有技术相比，本发明提供了一种IC生产中AlSiCu连接层的干法刻蚀方法。本发明提供的方法包括以下步骤：对半导体器件上AlSiCu连接层的待刻蚀区域进行干法刻蚀；所述干法刻蚀的过程中，所采用工艺气体为氯气、氯化硼和氩气的混合气，所述氯气、氯化硼和氩气的体积比为(10～14)：(6～10)：(3～8)；所述干法刻蚀的过程中，下射频功率为100～260W，上射频功率为800～1200W。本发明提供的方法通过在工艺气体中增加一定比例的氩气以及搭配合适的刻蚀射频功率，能够在保证形貌要求的前提下减少刻蚀残留，从而提高产品的性能和良率。该方法可以直接运用到大规模量产干法刻蚀AlSiCu产品上，具有良好的市场前景。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。