[发明专利]发送器和接收器以及包括该发送器和接收器的存储系统在审

专利信息
申请号: 202110925177.2 申请日: 2021-08-12
公开(公告)号: CN114124295A 公开(公告)日: 2022-03-01
发明(设计)人: 文炳模;金志泳;郑盛旭;李钟秀 申请(专利权)人: 三星电子株式会社;延世大学校产学协力团
主分类号: H04L1/00 分类号: H04L1/00;G06F15/78
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜;赵莎
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发送 接收器 以及 包括 存储系统
【说明书】:

提供了发送器和接收器以及包括该发送器和接收器的存储系统。所述发送器包括多路复用器、控制逻辑和电压模式驱动器。多路复用器基于多个输入数据信号和多相位时钟信号产生多个时间交织数据信号。多个输入数据信号并行输入。多个输入数据信号中的每一个输入数据信号为二进制信号并且具有彼此不同的两个电压电平。控制逻辑基于多个时间交织数据信号产生至少一个下拉控制信号和多个上拉控制信号。多个上拉控制信号中的每一个上拉控制信号的电压电平被暂时升压。电压模式驱动器基于至少一个下拉控制信号和多个上拉控制信号产生输出数据信号。输出数据信号为双二进制信号并且具有彼此不同的三个电压电平。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年8月26日向韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2020-0107701的优先权,其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开的实施例总体上涉及半导体集成电路,并且更具体地涉及用于低功率输入/输出的发送器和接收器,以及包括该发送器和接收器的存储系统。

背景技术

存储密集型应用可以将存储带宽用于高性能计算(HPC),例如用于人工智能(AI)和/或图形处理单元(GPU)。带宽的扩大可以依赖于工艺技术的创新。工艺技术的发展已经在集成电路(IC)中创造了更高的密度。三维(3D)集成提供了继续扩大IC密度的可能性。

已经研究了使用穿硅通路(through-silicon via,TSV)的高带宽存储器(HBM)。如果使用多个TSV作为通道,由于由TSV的材料特性形成的寄生电容,一个通道上的信号转变可能作为噪声传播或转移到相邻通道。由于噪声,数据可能会延迟或者可能会增加抖动,从而可能会降低接收器的性能。

发明内容

本公开的至少一个实施例提供了一种使用用于低功率输入/输出的时间交织方案来产生双二进制数据信号的发送器。

本公开的至少一个实施例提供了一种接收双二进制数据信号的接收器。

本公开的至少一个实施例提供了一种存储系统,包括发送器和接收器。

根据实施例,一种发送器包括:多路复用器,所述多路复用器被配置为基于多个输入数据信号和多相位时钟信号产生多个时间交织数据信号,所述多个输入数据信号并行输入,所述多个输入数据信号中的每一个输入数据信号具有彼此不同的至少两个电压电平;控制逻辑,所述控制逻辑被配置为基于所述多个时间交织数据信号产生多个控制信号,所述多个控制信号中的至少一个控制信号具有被暂时升压的电压电平;以及电压模式驱动器,所述电压模式驱动器被配置为基于所述多个控制信号产生输出数据信号,所述输出数据信号具有彼此不同的至少三个电压电平。

根据实施例,一种发送器,包括多路复用器、控制逻辑和电压模式驱动器。所述多路复用器基于多个输入数据信号和多相位时钟信号产生多个时间交织数据信号。所述多个输入数据信号并行输入。所述多个输入数据信号中的每一个输入数据信号为二进制信号并且具有彼此不同的两个电压电平。所述控制逻辑基于所述多个时间交织数据信号产生至少一个下拉控制信号和多个上拉控制信号。所述多个上拉控制信号中的每一个上拉控制信号的电压电平被暂时升压。所述电压模式驱动器基于所述至少一个下拉控制信号和所述多个上拉控制信号产生输出数据信号。所述输出数据信号为双二进制信号并且具有彼此不同的三个电压电平。

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