[发明专利]一种消除CMP加工中心边缘差异的设备

说明书

本发明涉及一种消除CMP加工中心边缘差异的设备，包括上表面设有载物组件的机架，还包括载物组件上面设置的旋转组件，其特征在于：所述载物组件包括转盘及转盘轴心下设置的驱动装置，所述转盘上表面活动嵌设有动力载物台，所述动力载物台上表面设有用于放置晶片的载物槽；所述载物组件的一侧设有与机架上表面固定的支撑架；所述旋转组件穿设在支撑架上，所述旋转组件包括输出端连接有电机的动力缸，还包括所述电机输出端安装的旋转出液盘，所述旋转出液盘的底部包覆有抛光布。该消除CMP加工中心边缘差异的设备，有效解决了化学试剂的均匀性、压力的均匀性，以及加强排除CPM加工过程物料的能力，消除加工边缘差异，提升产品均匀品质。

【技术领域】

本发明涉及半导体CMP加工领域，具体涉及一种消除CMP加工中心边缘差异的设备。

【背景技术】

现行CPM加工过程中，由于药液从边缘流向被加工产品的中心，造成被加工晶片边缘与中心的化学剂里不同，同时由于现行加工方式为整个晶片与下边的抛光布接觸，受到压力已经液体流动性限制，在下压力作用下，晶片中心与抛光布之间存在过多的药液，降低了CPM的机械作用力，而边缘由于化学试剂的流动性好，压力大，造成了边缘的加工去除力偏大，基于这个原因，目前CPM加工的缺点是产品的中心和偏远存在差异，加大了产品的边缘差异；且中心加工下来的物料不能充分及时的排除，除了影响加工的均匀性，更会用影响加工的良率。针对上述提出的问题，亟需设计出一种消除CMP加工中心边缘差异的设备。

【发明内容】

为解决上述问题，本发明的目的在于提供一种消除CMP加工中心边缘差异的设备，解决了现有CPM加工设备处理过程中产品的中心和偏远存在差异，加大了产品的边缘差异；且中心加工下来的物料不能充分及时的排除，除了影响加工的均匀性，更会用影响加工良率的问题。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种消除CMP加工中心边缘差异的设备，包括上表面设有载物组件的机架，还包括载物组件上面设置的旋转组件，所述载物组件包括转盘及转盘轴心下设置的驱动装置，所述转盘上表面活动嵌设有动力载物台，所述动力载物台上表面设有用于放置晶片的载物槽；所述载物组件的一侧设有与机架上表面固定的支撑架；所述旋转组件穿设在支撑架上，所述旋转组件包括输出端连接有电机的动力缸，还包括所述电机输出端安装的旋转出液盘，所述旋转出液盘上表面还套设有用于存放化学试剂的存储盒，所述存储盒与旋转出液盘通过邻面等距穿设的倒液孔连通连接，所述旋转出液盘的底部包覆有抛光布。

本发明中的一种消除CMP加工中心边缘差异的设备进一步设置为：所述动力载物台上表面分为至少二等分，所述动力载物台的每一等分均设有用于放置晶片的载物槽。

本发明中的一种消除CMP加工中心边缘差异的设备进一步设置为：所述载物槽通过真空吸附、tempalte工具或石蜡中任一方式与晶片固定。

本发明中的一种消除CMP加工中心边缘差异的设备进一步设置为：所述旋转出液盘与动力载物台邻面相互贴覆，旋转出液盘的半径大于动力载物台直径的三分之二、小于所述转盘的半径。

本发明中的一种消除CMP加工中心边缘差异的设备进一步设置为：所述动力载物台通过底部中心连接的驱动马达与转盘组成活动机构。

本发明中的一种消除CMP加工中心边缘差异的设备进一步设置为：所述倒液孔内腔设有限流片，限流片开设有出液缝。

本发明中的一种消除CMP加工中心边缘差异的设备进一步设置为：所述旋转出液盘内腔由上至下设有相互贴近的填料层A和填料层B，填料层A和填料层B内均开设有用于化学试剂流动的导孔，填料层A的导孔内直径大于填料层B的导孔内直径。

本发明中的一种消除CMP加工中心边缘差异的设备进一步设置为：所述旋转出液盘底壁等距穿设有用于渗出化学试剂的出孔。

本发明中的一种消除CMP加工中心边缘差异的设备进一步设置为：所述动力缸为气缸。