[发明专利]核壳纳米材料及其制备方法、显示器件在审
申请号: | 202110927911.9 | 申请日: | 2021-08-11 |
公开(公告)号: | CN115707264A | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
发明(设计)人: | 郭煜林;吴龙佳 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H10K50/115 | 分类号: | H10K50/115;H10K59/12;H10K59/17;H10K99/00;C01G39/06;C01G9/02;B82Y40/00;B82Y30/00;B82Y10/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 材料 及其 制备 方法 显示 器件 | ||
1.一种核壳纳米材料,其特征在于,包括:氧化锌纳米核,以及包覆所述氧化锌纳米核的1T型二硫化钼纳米片壳层。
2.根据权利要求1所述的纳米材料,其特征在于,所述纳米材料的粒径为50nm至200nm。
3.根据权利要求1所述的纳米材料,其特征在于,所述氧化锌纳米核的粒径为10nm至30nm。
4.一种核壳纳米材料制备方法,其特征在于,包括:
提供氧化锌纳米颗粒;
将所述氧化锌纳米颗粒、钼源与硫源混合,加热,制得中间核壳纳米材料,所述中间核壳纳米材料的核为氧化锌,壳为2H型二硫化钼;以及
将所述中间核壳纳米材料进行相转变处理,得到所述核壳纳米材料,其中所述核壳纳米材料包括:氧化锌纳米核,以及包覆所述氧化锌纳米核的1T型二硫化钼纳米片壳层。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,
在所述将所述氧化锌纳米颗粒、钼源与硫源混合中,所述氧化锌、钼源与硫源的摩尔比为1:(0.2~0.8):(0.2~0.8);和/或,
在所述加热中,所述加热的温度为60℃至120℃,和/或,所述加热的时间为30min至300min;和/或,
所述钼源选自四水合钼酸铵和乙酰丙酮钼中的至少一种;和/或,
所述硫源选自硫脲、硫代乙酰胺和硫化钠中的至少一种。
6.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述相转变处理方法为利用锂离子插层法将锂离子插入二硫化钼层间,使所述2H型二硫化钼相转变为1T型二硫化钼。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述锂离子插层法包括将所述中间核壳纳米材料分散于有机溶剂中,加入锂离子插层剂,进行超声处理,所述锂离子插层剂选自正丁基锂及叔丁基锂中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,在所述超声中,所述超声的时间为0.5h至6h;和/或,
所述有机溶剂选自乙醇、N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基甲酰胺中的至少一种。
9.一种薄膜,其特征在于,包括:权利要求1至3任一项所述的纳米材料,或者包括权利要求4至8任一项所述的方法制得的纳米材料。
10.一种量子点发光二极管,其特征在于,包括:相对设置的阴极和阳极,设置在所述阴极和所述阳极之间的发光层,以及设置在所述阴极和所述发光层之间的电子传输层,所述电子传输层为权利要求9所述的薄膜。
11.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求10所述的量子点发光二极管。
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