[发明专利]核壳纳米材料及其制备方法、显示器件

说明书

本发明提供一种核壳纳米材料，该纳米材料以1T型的二硫化钼为壳，以氧化锌为核，将该纳米材料用于电子传输层中，通过利用1T型的二硫化钼保护活性相对较高的氧化锌核，可减少氧化锌表面缺陷，抑制表面缺陷对载流子的俘获，从而提高电子‑空穴在发光层的有效复合；另一方面，1T型二硫化钼具有更高的导电性，更好的电子传输性能，可以保证电子的快速转移；此外，还可使电子更易从电子传输层注入到发光层。

技术领域

本发明涉及显示器件领域，具体涉及一种核壳纳米材料及其制备方法、显示器件。

背景技术

量子点是一种尺寸在1nm至10nm的半导体团簇，由于量子尺寸效应，具有带隙可调的光电子性质，可应用于发光二极管、太阳能电池、生物荧光标记等领域。在传统的量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting doit，QLED)中，电子和空穴分别从阴极和阳极注入，然后在量子点发光层复合形成激子发光。

氧化锌(ZnO)是一种直接带隙的n型半导体材料，具有3.37eV的宽禁带和3.7eV的低功函，且具有稳定性好、透明度高、安全无毒等优点，使得氧化锌可成为合适的电子传输层材料。QLED器件中亦采用氧化锌作为电子传输层材料。但目前采用溶液法或者溶胶凝胶法制备的氧化锌表面缺陷多，尺寸较大及不均一，易形成电子捕获中心及激子复合中心，降低电子传输层的传输效率，导致QLED器件性能差及迅速衰减。

发明内容

鉴于此，本发明提供一种核壳纳米材料及其制备方法、显示器件，旨在改善氧化锌的表面存在缺陷，电子传输效率较低的问题。

首先，本发明提供一种核壳纳米材料，包括：氧化锌纳米核，以及包覆所述氧化锌纳米核的1T型二硫化钼纳米片壳层。

可选的，所述纳米材料的粒径为50nm至200nm。

可选的，所述氧化锌纳米核的粒径为10nm至30nm。

本发明还提供一种核壳纳米材料制备方法，包括：

提供氧化锌纳米颗粒；

将所述氧化锌纳米颗粒、钼源与硫源混合，加热，制得中间核壳纳米材料，所述中间核壳纳米材料的核为氧化锌、壳为2H型二硫化钼；以及

将所述中间核壳纳米材料进行相转变处理，得到所述核壳纳米材料，其中所述核壳纳米材料包括：氧化锌纳米核，以及包覆所述氧化锌纳米核的1T型二硫化钼纳米片壳层。

可选的，在所述将所述氧化锌纳米颗粒、钼源与硫源混合中，所述氧化锌、钼源与硫源的摩尔比为1：(0.2～0.8)：(0.2～0.8)。

可选的，在所述加热中，所述加热的温度为60℃至120℃，和/或，所述加热的时间为30min至300min。

可选的，所述钼源选自四水合钼酸铵和乙酰丙酮钼中的至少一种；和/或，

所述硫源选自硫脲、硫代乙酰胺和硫化钠中的至少一种。

可选的，所述相转变处理方法为利用锂离子插层法将锂离子插入二硫化钼层间，使所述2H型二硫化钼相转变为1T型二硫化钼。

可选的，所述锂离子插层法包括将所述中间核壳纳米材料分散于有机溶剂中，加入锂离子插层剂，进行超声处理，所述锂离子插层剂选自正丁基锂及叔丁基锂中的至少一种。

可选的，在所述超声中，所述超声的时间为0.5h至6h；和/或，

所述有机溶剂选自乙醇、N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基甲酰胺中的至少一种。

本发明还提供一种薄膜，所述薄膜的材料包括：以上任一项实施例所述的纳米材料，或者包括以上任一项实施例所述的方法制得的纳米材料。