[发明专利]一种蚀刻液及其制备方法和应用

说明书

本发明公开了一种蚀刻液及其制备方法和应用，该蚀刻液含有(A)醋酸、(B)盐酸、(C)调控剂及(D)水；调控剂包含式(Ⅰ)所示的含有氨基苯基的化合物和/或聚苯胺，调控剂以无机酸盐形式存在，式中，R为H、C_1‑6的烷基或制备方法包括：按配方量将各成分混合，分散，过滤，滤液为蚀刻液；及上述蚀刻液在蚀刻氧化铟系膜中的应用；该蚀刻液能够降低对铝布线的腐蚀，且提升对氧化铟的蚀刻容量，体系稳定性好，对有机膜、氮化硅及玻璃等的残渣除去优异等性能优点。

技术领域

本发明属于氧化铟系膜的蚀刻技术领域，具体涉及一种蚀刻液及其制备方法和应用。

背景技术

氧化铟系膜，例如氧化铟锡(ITO，也称掺锡氧化铟)膜，其具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性，因此被广泛地应用于液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)、电致发光显示器(EL/OLED)、触摸屏(TouchPanel)、太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极，也可作为基底膜用于导线尤其是铝布线在玻璃基板上的布线，具体是铝布线在参与制作产品时其作为基底膜设置在铝布线与玻璃基板之间，而铝布线上设置有可用于保护铝布线的掩膜，然而在制作过程中较易出现掩膜发生破损进而会裸露出部分铝布线的情况，当制作完成而需要刻蚀掉氧化铟系膜时，造成在蚀刻氧化铟系膜时蚀刻液腐蚀了铝布线。目前将氧化铟锡膜制成所需形状或图案的透明电极，或者作为基底膜而被去除时，常用的方法包括采用湿法蚀刻进行，行业内氧化铟系膜蚀刻液通常采用盐酸/硝酸混合水溶液、盐酸/三氯化铁水溶液、草酸体系、碘酸水溶液、磷酸水溶液等，但该些蚀刻液分别不同程度的存在：蚀刻速度太快不易控制，对除了氧化铟系膜以外的其它材料的腐蚀性太强，进而易造成器件的损坏；草酸体系蚀刻速率相对较慢，且易析出草酸或草酸与铟结合的盐颗粒，造成不必要的划伤；稳定性差，易游离出碘，价格贵等缺陷。

此外，在多晶氧化铟系膜的湿法蚀刻中也有人使用盐酸和醋酸构成的水溶液体系，但在蚀刻时仍然会产生铝布线等的腐蚀，蚀刻速度太快而难以控制蚀刻质量尤其是批次间产品的质量，而且由于蚀刻从氧化铟系膜的晶界选择性地进行，因而难以加工精度良好地进行图案化。同时在对形成基底膜(氮化硅(SiN)膜、有机膜等)的氧化铟系膜进行蚀刻的情怳下，容易产生蚀刻残渣。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种改进的蚀刻液，该蚀刻液能够降低对铝布线的腐蚀，且提升对氧化铟的蚀刻容量，体系稳定性好。

本发明同时还提供了一种上述蚀刻液的制备方法。

本发明同时还提供了一种上述蚀刻液在蚀刻氧化铟系膜中的应用，所述氧化铟系膜包括但不限于氧化铟锡(ITO)膜、氧化铟锌(IZO)膜、氧化铟镓锌(IGZO)膜等。

为达到上述目的，本发明采用的一种技术方案是：

一种蚀刻液，所述蚀刻液含有(A)醋酸、(B)盐酸、(C)调控剂及(D)水；其中，所述调控剂包含式(Ⅰ)所示的含有氨基苯基的化合物和/或聚苯胺，所述调控剂以无机酸盐形式存在，

式中，R为H、C_1-6的烷基或

根据本发明的一些优选方面，所述无机酸盐形式为盐酸盐形式和/或硫酸盐形式。

根据本发明的一些优选且具体的方面，式(Ⅰ)中，R取代在氨基的对位。

根据本发明的一些优选方面，所述调控剂为选自苯胺盐酸盐、苯胺硫酸盐、4-甲基苯胺盐酸盐、聚苯胺盐酸盐、聚苯胺硫酸盐和盐酸副品红中的一种或多种的组合。

根据本发明的一些优选方面，以质量百分含量计，所述调控剂的添加量占所述蚀刻液的0.1％-5.0％。进一步地，以质量百分含量计，所述调控剂的添加量占所述蚀刻液的0.5％-3.0％。

根据本发明的一些优选方面，以质量百分含量计，所述蚀刻液中，醋酸占1％-3％，盐酸所含有的氯化氢占2％-5％。