[发明专利]半导体机台的气密性检测方法

权利要求书

1.一种半导体机台的气密性检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

形成测试芯片，所述测试芯片包括衬底以及位于所述衬底上的测试膜层，所述测试膜层中具有测试图案，所述测试膜层具有化学反应活性；

获取所述测试图案的第一特征尺寸；

放置所述测试芯片至半导体机台内部；

于所述半导体机台内部建立真空环境；

获取自所述半导体机台内部取出后的所述测试图案的第二特征尺寸；

判断所述第一特征尺寸与所述第二特征尺寸之间的差值是否大于预设值，若是，则确认所述半导体机台的气密性差。

2.根据权利要求1所述的半导体机台的气密性检测方法，其特征在于，形成测试芯片的具体步骤包括：

提供衬底；

形成覆盖于所述衬底表面的介质层；

形成覆盖于所述介质层表面的所述测试膜层。

3.根据权利要求2所述的半导体机台的气密性检测方法，其特征在于，形成覆盖于所述介质层表面的所述测试膜层的具体步骤包括：

沉积还原性材料于所述介质层表面，形成所述测试膜层；

刻蚀所述测试膜层，形成沿所述介质层指向所述衬底的方向延伸的沟槽，并以所述沟槽作为所述测试图案。

4.根据权利要求1所述的半导体机台的气密性检测方法，其特征在于，所述测试膜层的材料为金属、金属化合物、多晶硅中的任一种或者两种以上的组合。

5.根据权利要求1所述的半导体机台的气密性检测方法，其特征在于，所述测试膜层的材料为多晶硅。

6.根据权利要求1所述的半导体机台的气密性检测方法，其特征在于，所述测试膜层的厚度为10nm～50nm。

7.根据权利要求1所述的半导体机台的气密性检测方法，其特征在于，所述测试芯片的数量为多片；获取所述测试图案的第一特征尺寸的具体步骤包括：

获取与多片所述测试芯片一一对应的多个所述第一特征尺寸。

8.根据权利要求7所述的半导体机台的气密性检测方法，其特征在于，放置所述测试芯片至半导体机台内部的具体步骤包括：

将多片所述测试芯片间隔放置于所述半导体机台内部的反应腔室内。

9.根据权利要求8所述的半导体机台的气密性检测方法，其特征在于，将多片所述测试芯片间隔放置于所述半导体机台内部的反应腔室内的具体步骤包括：

沿所述反应腔室的轴线方向，将多片所述测试芯片平行放置于所述反应腔室内。

10.根据权利要求8所述的半导体机台的气密性检测方法，其特征在于，所述测试芯片的数量为2片；将多片所述测试芯片间隔放置于所述半导体机台内部的反应腔室内的具体步骤包括：

将两片所述测试芯片分别放置于所述反应腔室的底部和顶部。

11.根据权利要求1所述的半导体机台的气密性检测方法，其特征在于，于所述机台内部建立真空环境的具体步骤包括：

降低所述半导体机台内部的压力至预设压力以下；

对所述半导体机台内部进行加热。

12.根据权利要求8所述的半导体机台的气密性检测方法，其特征在于，判断所述第一特征尺寸与所述第二特征尺寸之间的差值是否大于预设值的具体步骤包括：

判断每片所述测试芯片的所述第一特征尺寸与所述第二特征尺寸之间的差值均大于所述预设值，若否，则确认所述半导体机台的气密性差。

13.根据权利要求1所述的半导体机台的气密性检测方法，其特征在于，判断所述第一特征尺寸与所述第二特征尺寸之间的差值是否大于预设值的具体步骤包括：

判断所述第一特征尺寸是否大于所述第二特征尺寸、且所述第一特征尺寸与所述第二特征尺寸之间的差值大于预设值，若是，则确认所述半导体机台的气密性差。