[发明专利]半导体机台的气密性检测方法

说明书

本申请涉及一种半导体机台的气密性检测方法。所述半导体机台的气密性检测方法包括如下步骤：形成测试芯片，所述测试芯片包括衬底以及位于所述衬底上的测试膜层，所述测试膜层中具有测试图案，所述测试膜层具有化学反应活性；获取所述测试图案的第一特征尺寸；放置所述测试芯片至半导体机台内部；于所述半导体机台内部建立真空环境；获取自所述半导体机台内部取出后的所述测试图案的第二特征尺寸；判断所述第一特征尺寸是否大于所述第二特征尺寸，若是，则确认所述半导体机台的气密性差。本申请缩短了半导体机台气密性检测的时间，降低了半导体机台气密性检测的成本，并提高了半导体机台气密性检测的准确度。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体机台的气密性检测方法。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机等电子设备中常用的半导体结构，其由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。所述晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启与关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。

炉管机台等半导体机台是动态随机存储器等半导体器件制备过程中的重要机台之一，用于在半导体结构表面形成膜层。炉管机台等半导体机台的气密性对半导体制程的影响很大。当炉管机台等半导体机台的气密性不好时，会在半导体结构表面沉积的膜层中产生缺陷。因此，对炉管机台等半导体机台的气密性进行检查，是确保半导体制程持续稳定进行、以及确保半导体结构良率的重要步骤。然而，当前检测炉管机台等半导体机台的气密性的方法成本较高、测试时间较长、应用范围较窄、且检测的准确度较低。

因此，如何提高半导体机台气密性检测的准确度，并降低半导体机台气密性检测的成本，缩短半导体机台气密性检测的时间，确保半导体结构的良率，是当前亟待解决的技术问题。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种半导体机台的气密性检测方法，用于解决当前半导体机台的气密性检测准确度较低的问题，并降低半导体机台气密性检测的成本，缩短半导体机台气密性检测的时间，以确保半导体产品的良率。

根据本申请的一些实施例，本申请提供了一种半导体机台的气密性检测方法，包括如下步骤：

形成测试芯片，所述测试芯片包括衬底以及位于所述衬底上的测试膜层，所述测试膜层中具有测试图案，所述测试膜层具有化学反应活性；

获取所述测试图案的第一特征尺寸；

放置所述测试芯片至半导体机台内部；

于所述半导体机台内部建立真空环境；

获取自所述半导体机台内部取出后的所述测试图案的第二特征尺寸；

判断所述第一特征尺寸与所述第二特征尺寸之间的差值是否大于预设值，若是，则确认所述半导体机台的气密性差。

在一些实施例中，形成测试芯片的具体步骤包括：

提供衬底；

形成覆盖于所述衬底表面的介质层；

形成覆盖于所述介质层表面的所述测试膜层。

在一些实施例中，形成覆盖于所述介质层表面的所述测试膜层的具体步骤包括：

沉积还原性材料于所述介质层表面，形成所述测试膜层；

刻蚀所述测试膜层，形成沿所述介质层指向所述衬底的方向延伸的沟槽，并以所述沟槽作为所述测试图案。

在一些实施例中，所述测试膜层的材料为金属、金属化合物、多晶硅中的任一种或者两种以上的组合。

在一些实施例中，所述测试膜层的材料为多晶硅。