[发明专利]阵列基板的制作方法与显示装置在审
申请号: | 202110929912.7 | 申请日: | 2021-08-13 |
公开(公告)号: | CN113690269A | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 黄远科 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62;G03F7/20;G09F9/30;G09F9/33 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 官建红 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板制作方法,其特征在于,包括:
提供一第一基板,所述第一基板的上表面设置有上边缘线路,所述第一基板的下表面设置有下边缘线路;
一次性在所述上边缘线路、所述下边缘线路、所述第一基板的上表面边缘、所述第一基板的下表面边缘,以及所述第一基板的侧面涂布感光银浆;
使用三维曝光遮罩三面曝光所述感光银浆;
显影曝光后的所述感光银浆;以及
固化显影后的所述感光银浆以形成连接所述上边缘线路与所述下边缘线路的连接线路。
2.如权利要求1所述之阵列基板制作方法,其特征在于,在提供所述第一基板的步骤中,所述第一基板的下表面设置有与所述下边缘线路连接的下薄膜封装芯片(Chip OnFilm,COF)。
3.如权利要求1所述之阵列基板制作方法,其特征在于,所述感光银浆的涂布厚度在4至6微米之间。
4.如权利要求1所述之阵列基板制作方法,其特征在于,所述感光银浆通过转印、丝印或者喷涂方式印刷在所述上边缘线路、所述下边缘线路、所述第一基板的上表面边缘、所述第一基板的下表面边缘,以及所述第一基板的侧面。
5.如权利要求1所述之阵列基板制作方法,其特征在于,所述感光银浆与所述上边缘线路、所述下边缘线路、所述第一基板的上表面、所述第一基板的下表面,以及所述第一基板的侧面的黏附力为5百格(B)以上。
6.如权利要求1所述之阵列基板制作方法,其特征在于,固化显影后的所述感光银浆的线宽与线距在30μm以下,体积电阻率低于1.0×10-4Ωcm。
7.如权利要求1所述之阵列基板制作方法,其特征在于,所述使用所述三维曝光遮罩三面曝光所述感光银浆的步骤还包含:
使用一输出光源照射边曝系统以三面曝光所述感光银浆。
8.如权利要求7所述之阵列基板制作方法,其特征在于,所述边曝系统包含分光镜、第一反射镜、第二反射镜、第三反射镜,以及第四反射镜,所述输出光源照射所述分光镜与所述分光镜之间的所述第一基板的侧面,所述分光镜将光束分成上行光束与下行光束,所述上行光束通过所述第一反射镜与所述第三反射镜照射所述上边缘线路以及所述第一基板的上表面,所述下行光束通过所述第二反射镜与所述第四反射镜照射所述下边缘线路以及所述第一基板的下表面。
9.如权利要求1所述之阵列基板制作方法,其特征在于,通过喷淋(shower)显影法、喷雾显影法、浸渍(dip)显影法或覆液(液池)显影法显影曝光后的所述感光银浆。
10.一种显示装置,其特征在于,包含:
如权利要求1至9中任一所述的阵列基板制造方法制造的所述阵列基板;
多个微发光二极体(miniLED),设置在所述阵列基板上;以及
封装层,覆盖于所述多个微发光二极体及所述阵列基板上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的