[发明专利]阵列基板的制作方法与显示装置在审
申请号: | 202110929912.7 | 申请日: | 2021-08-13 |
公开(公告)号: | CN113690269A | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 黄远科 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62;G03F7/20;G09F9/30;G09F9/33 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 官建红 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制作方法 显示装置 | ||
一种阵列基板与显示面板的制作方法,包含提供第一基板,第一基板的上表面设置有上边缘基板线路,第一基板的下表面设置有下边缘基板线路;一次性在上边缘基板线路、下边缘基板线路、第一基板的上表面、第一基板的下表面,以及第一基板的侧面印刷感光银浆;三面曝光感光银浆;显影曝光后的感光银浆;以及固化显影后的感光银浆。
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板的制作方法与显示装置。
【背景技术】
现有的无边框或窄边框的研发主流方式中,背面绑定方式,采用背面工艺技术在基板背面进行对应外围线路设计,基板侧面印刷纳米银胶与外围走线对应,使正面的线路与背面外围走线连接,最后在背面进行薄膜封装晶片的绑定;从而实现窄边框或无边框的效果。
以上无边框或窄边框技术均采用侧面印刷纳米银胶与激光切割,但是受限印刷精度要求极高,制程工艺经常会有银离子扩散渗透或银胶对位异常导致基板短路或导致基板刚度降低,从而良率较低,同时成本高居不下,导致无边框技术无法广泛采用及普及。
故,有需要提供一种阵列基板的制作方法与显示装置,以解决现有技术银离子扩散渗透或银胶对位异常导致基板短路或导致基板刚度降低的问题。
【发明内容】
为解决上述问题,本发明提出一种阵列基板的制作方法与显示装置,以解决现有技术银离子扩散渗透或银胶对位异常导致基板短路或导致基板刚度降低的问题。
为达成上述目的,本发明提供一种阵列基板制作方法,包括:
提供一第一基板,所述第一基板的上表面设置有上边缘线路,所述第一基板的下表面设置有下边缘线路;
一次性在所述上边缘线路、所述下边缘线路、所述第一基板的上表面边缘、所述第一基板的下表面边缘,以及所述第一基板的侧面涂布感光银浆;
使用三维曝光遮罩三面曝光所述感光银浆;
显影曝光后的所述感光银浆;以及
固化显影后的所述感光银浆以形成连接所述上边缘线路与所述下边缘线路的连接线路。
于本发明其中的一实施例中,在提供所述第一基板的步骤中,所述第一基板的下表面设置有与所述下边缘线路连接的下薄膜封装芯片(Chip On Film,COF)。
于本发明其中的一实施例中,所述感光银浆的涂布厚度在4至6微米之间。
于本发明其中的一实施例中,所述感光银浆通过转印、丝印或者喷涂方式印刷在所述上边缘线路、所述下边缘线路、所述第一基板的上表面、所述第一基板的下表面,以及所述第一基板的侧面。
于本发明其中的一实施例中,所述感光银浆与所述上边缘线路、所述下边缘线路、所述第一基板的上表面、所述第一基板的下表面,以及所述第一基板的侧面的黏附力为5百格(B)以上。
于本发明其中的一实施例中,固化显影后的所述感光银浆的线宽与线距在30μm以下,体积电阻率低于1.0×10-4Ωcm。
于本发明其中的一实施例中,所述使用所述三维曝光遮罩三面曝光所述感光银浆的步骤还包含:
使用一输出光源照射边曝系统;以
三面曝光所述感光银浆。
于本发明其中的一实施例中,所述边曝系统包含分光镜、第一反射镜、第二反射镜、第三反射镜,以及第四反射镜,所述输出光源照射所述分光镜与所述分光镜之间的所述第一基板的侧面,所述分光镜将光束分成上行光束与下行光束,所述上行光束通过所述第一反射镜与所述第三反射镜照射所述上边缘线路以及所述第一基板的上表面、所述下行光束通过所述第二反射镜与所述第四反射镜照射所述下边缘线路以及所述第一基板的下表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL华星光电技术有限公司,未经TCL华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110929912.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种自动批量检测基桩间距是否满足规范要求的方法
- 下一篇:阵列基板及显示面板
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的