[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110932262.1 | 申请日： | 2021-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN113808952A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 王超;杨帆;左欢欢;王艳杰;高晓红;闫兴振;郭亮;王欢;吕卅;杨佳;赵春雷;迟耀丹;杨小天 | 申请（专利权）人： | 吉林建筑大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/786;C23C14/04;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/14;C23C14/30;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 史晶晶 |
| 地址： | 130118 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括层叠的硅层和介电层；
在所述介电层上放置第一掩模板，所述第一掩模板具有镂空的图案；
然后沉积有源材料，使其至少填充所述第一掩模板中的镂空区域，从而形成有图形的有源层，再移去所述第一掩模板；
之后在所述有源层上形成电极阵列，得到薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有源材料为AZTO。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述AZTO的沉积方法为：磁控溅射法。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，形成所述电极阵列之前还对所述有源层进行退火处理，退火温度为500～600℃。
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述电极阵列的形成过程为：
在所述有源层上放置第二掩模板，所述第二掩模板具有镂空的图案，该镂空的图案与所述薄膜晶体管中的电极阵列图形相同；
然后沉积电极材料，使其至少填充所述第二掩模板中的镂空区域，从而形成电极阵列，再移去所述第二掩模板。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述电极材料的沉积方法为：电子束蒸发。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述介电层的材料为氧化硅。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一掩模板为金属材质。
9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第二掩模板为金属材质。
10.采用权利要求1-9任一项所述的制备方法制得的薄膜晶体管。
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