[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法

说明书

本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。一种薄膜晶体管的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底包括层叠的硅层和介电层；在所述介电层上放置第一掩模板，所述第一掩模板具有镂空的图案；然后沉积有源材料，使其至少填充所述第一掩模板中的镂空区域，从而形成有图形的有源层，再移除所述第一掩模板；之后在所述有源层上形成电极阵列，得到薄膜晶体管。本发明利用掩膜板制作有源层，省去了沉积光刻胶、光刻胶图形化、有源材料腐蚀等步骤，从而避免了有源层的污染、磨损等问题，提高了器件良率。

技术领域

本发明涉及半导体生产工艺领域，特别涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。

背景技术

在蓬勃发展的物联网技术中，显示器作为人机交互活动和信息展示的窗口，被人们赋予了更多更高的要求。高分辨率、高刷新率、低响应时间等成为衡量显示器的新标准。薄膜晶体管(TFT)作为显示器的核心，其性能的优异与最终的显示效果息息相关，如何获得高性能的TFT一直是本领域研究的重点。

现有的TFT制作工艺中，通常采用湿法腐蚀等刻蚀手段进行图形化，其操作流程复杂繁琐，并且会增加器件有源层的磨损和污染，操作不当会对薄膜晶体管的电学性能造成一定的影响。

为了解决上述问题，提出了本发明。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种薄膜晶体管的制备方法，该方法采用已经刻有有源层图形的掩膜板作为物理遮挡，并且是先遮挡后沉积，从而直接在介电层上形成有源层，这样还省去了沉积光刻胶、光刻胶图形化、有源材料腐蚀等步骤，从而避免了有源层的污染、磨损等问题，提高了器件良率。

为了实现以上目的，本发明提供以下技术方案。

一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括层叠的硅层和介电层；

在所述介电层上放置第一掩模板，所述第一掩模板具有镂空的图案；

然后沉积有源材料，使其至少填充所述第一掩模板中的镂空区域，从而形成有图形的有源层，再移除所述第一掩模板；

之后在所述有源层上形成电极阵列，得到薄膜晶体管。

以及采用上文所述的制备方法制得的薄膜晶体管。

与现有技术相比，本发明达到了以下技术效果：

本发明采用事先制备好的第一掩膜板作为遮挡层，并且该第一掩膜板上已刻有有源层的图形(为镂空的图案)，同时先遮挡在介质层上，然后沉积有源材料，这样使得有源材料只能填充于所述第一掩模板中的镂空区域以及覆盖在第一掩膜板上的非镂空处，而镂空区域恰好是有源层的图形，因此，沉积完成后只需要移去第一掩膜板就可以获得有源层。在上述过程中，并不涉及沉积光刻胶、光刻胶图形化、有源材料腐蚀等步骤，因此可以避免有源层的污染、磨损等问题，从而提高器件良率。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。

图1为第一掩模板的结构示意图；

图2为在衬底上以第一掩模板遮挡后沉积AZTO材料后得到的结构俯视图；

图3为第二掩模板的结构示意图；

图4为以第二掩模板遮挡后沉积电极材料后得到的结构俯视图；

图5为本发明制得的薄膜晶体管的剖视图。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。