[发明专利]一种无芯基板的制作方法在审
申请号: | 202110935589.4 | 申请日: | 2021-08-16 |
公开(公告)号: | CN113725148A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 张成立;王强;徐光龙 | 申请(专利权)人: | 宁波华远电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 | 代理人: | 袁忠卫 |
地址: | 315403 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 无芯基板 制作方法 | ||
1.一种无芯基板的制作方法,其特征在于,该制作方法包括如下步骤:
S1、在基材铜(1)顶面添加第一光刻胶层(21),进行曝光、显影,形成第一光刻胶图形层;
S2、在第一光刻胶图形层中电镀上第一层间导体(31);
S3、剥离第一光刻胶层(21),留下第一层间导体(31);
S4、在第一层间导体(31)及剩余的基材铜(1)顶面上堆叠第一绝缘层(41);
S5、对第一绝缘层(41)进行研磨,使第一绝缘层(41)与第一层间导体(31)齐平;
S6、在第一绝缘层(41)和第一层间导体(31)的顶面沉积添加第一种子层(51);
S7、在第一种子层(51)顶面和基材铜(1)底面分别贴上第一感光干膜(601)和第二感光干膜(602),并对第一感光干膜(601)进行曝光,形成第一感光图形层;
S8、去除第一感光干膜(601)的第一未感光图形层部分,并电镀上第二层间导体(32);
S9、去除第一感光干膜(601)和第二感光干膜(602);
S10、双面压膜,此处压膜采用曝光可以固化的保护膜,保护电路板;
S11、上表面曝光,使此处压膜固化,不容易被显影而除去;
S12、下表面显影,从而此处压膜被溶液除去;
S13、基材铜减薄,将下表面的基材铜进行减薄处理,使其厚度降低,控制在15-35μm范围内;
S14、去压膜,将上表面曝光固化的压膜除去;
S15、在第一种子层(51)和第二层间导体(32)的顶面贴上第三感光干膜(603),在基材铜(1)底面贴上第四感光干膜(604),并对第四感光干膜(604)进行曝光,形成第四感光图形层;
S16、去除第四感光干膜(604)的第四未感光图形层部分,根据剩下的第四感光干膜(604)对基材铜(1)进行蚀刻;
S17、去除第三感光干膜(603)和第四感光干膜(604);
S18、在第一绝缘层(41)的底面沉积添加第二种子层(52);
S19、在第一种子层(51)和第二层间导体(32)的顶面贴上第五感光干膜(605),在剩余的基材铜(1)和第二种子层(52)的底面贴上第六感光干膜(606),并对第五感光干膜(605)和第六感光干膜(606)进行曝光,对应地形成第五感光图形层和第六感光图形层;
S20、去除第五感光干膜(605)和第六感光干膜(606)的第五未感光图形层和第六未感光图形层部分,并对应地电镀上第三层间导体(33)和第四层间导体(34);
S21、去除第五感光干膜(605)、第六感光干膜(606)、第一种子层(51)和第二种子层(52);
S22、在第一绝缘层(41)、第二层间导体(32)和第三层间导体(33)的顶面堆叠第二绝缘层(42),在第一绝缘层(41)、基材铜(1)和第四层间导体(34)的底面堆叠第三绝缘层(43);
S23、对第二绝缘层(42)和第三绝缘层(43)进行研磨,使第二绝缘层(42)和第三层间导体(33)、第三绝缘层(43)和第四层间导体(34)齐平;
S24、在第二绝缘层(42)和第三层间导体(33)的顶面沉积添加第三种子层(53),在第三绝缘层(43)和第四层间导体(34)的底面沉积添加第四种子层(54);
S25、在第三种子层(53)的顶面和第四种子层(54)的底面分别贴上第七感光干膜(607)和第八感光干膜(608),并对第七感光干膜(607)和第八感光干膜(608)进行曝光,形成第七感光图形层和第八感光图形层;
S26、去除第七感光干膜(607)和第八感光干膜(608)的第七未感光图形层和第八未感光图形层部分,并对应地电镀上第五层间导体(35)和第六层间导体(36);
S27、在第七感光干膜(607)和第五层间导体(35)的顶面贴上第九感光干膜(609),在第八感光图形(608)部分和第六层间导体(36)的底面贴上第十感光干膜(610),并对第九感光干膜(609)和第十感光干膜(610)进行曝光,对应地形成第九感光图形层和第十感光图形层;
S28、去除第九感光干膜(609)和第十感光干膜(610)的第九未感光图形层和第十未感光图形层部分,并对应地加厚第五层间导体(35)和第六层间导体(36);
S29、去除第九感光干膜(609)、第十感光干膜(610)、第七感光干膜(607)、第八感光干膜(608)、第三种子层(53)和第四种子层(54);
S30、在第五层间导体(35)和第二绝缘层(42)的顶面堆叠第四绝缘层(44),在第六层间导体(36)和第三绝缘层(43)的底面堆叠第五绝缘层(45);
S31、对第四绝缘层(44)和第五绝缘层(45)进行研磨,对应地露出加厚的第五层间导体(35)和第六层间导体(36);
S32、减薄外露的第五层间导体(35)和第六层间导体(36);
S33、在第四绝缘层(44)和第五绝缘层(45)上涂布感光阻焊层(7),对外露的导体进行表面处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波华远电子科技有限公司,未经宁波华远电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110935589.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高压下温度传感器矫正系统
- 下一篇:智能自动提升系统及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造