[发明专利]体晶片开关隔离

权利要求书

1.一种结构，包括：

体衬底材料；

位于所述体衬底材料上的有源区；

与所述有源区邻近的非有源区；以及

非晶材料，其覆盖与所述有源区邻近的所述非有源区中的所述体衬底材料。

2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述非晶材料是有缺陷的体衬底材料层。

3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述非晶材料具有比所述体衬底材料高的电阻率。

4.根据权利要求3所述的结构，其中，所述非有源区中的所述非晶材料包括位于浅沟槽隔离结构之间的台阶特征。

5.根据权利要求4所述的结构，其中，所述台阶特征包括位于所述非晶材料下方的所述体衬底材料。

6.根据权利要求1所述的结构，其中，所述体衬底材料是单晶Si材料，并且所述非晶材料是所述单晶Si材料的缺陷层。

7.根据权利要求1所述的结构，其中，所述非晶材料设置在浅沟槽隔离结构之间。

8.根据权利要求1所述的结构，还包括：位于所述有源区中的有源器件，并且其中所述非晶材料为所述有源区中的所述有源器件提供衬底隔离。

9.根据权利要求8所述的结构，还包括：覆盖所述非有源区中的所述非晶材料和所述有源器件的电介质材料。

10.根据权利要求9所述的结构，其中，包括所述非晶材料的所述非有源区没有虚设栅极结构。

11.根据权利要求8所述的结构，其中，所述有源区中的所述有源器件与所述非晶材料位于同一层级。

12.根据权利要求1所述的结构，其中，所述有源区没有所述非晶材料。

13.一种结构，包括：

单晶体衬底；

位于所述单晶体衬底上的具有所述有源器件的有源区；

通过浅沟槽隔离结构与所述有源区隔开的非有源区；以及

位于所述非有源区中的所述单晶体衬底上的非晶层。

14.根据权利要求13所述的结构，其中，所述非晶层是有缺陷的单晶体衬底层。

15.根据权利要求13所述的结构，其中，所述非晶层包括位于浅沟槽隔离结构之间的台阶特征。

16.根据权利要求15所述的结构，其中，所述台阶特征包括位于所述非晶层下方的所述单晶体衬底。

17.根据权利要求13所述的结构，其中，所述非有源区没有虚设栅极结构。

18.根据权利要求13所述的结构，还包括：覆盖所述非有源区中的所述非晶层和所述有源区的电介质材料。

19.根据权利要求13所述的结构，其中，所述有源区中的所述有源器件与所述非有源区中的所述非晶层位于同一层级。

20.一种方法，包括：

在有源区中的衬底上形成有源器件；

在非有源区中的所述衬底之上形成非有源器件；

去除所述非有源器件并暴露所述非有源区中的所述衬底；

损伤所述非有源区中的所暴露的衬底；以及

在所述非有源区中损伤的暴露衬底和所述有源器件之上形成电介质材料。