[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示器件

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

形成栅极、有源层、源极和漏极的图形；

其中，所述有源层包括：源极接触区域、漏极接触区域和位于所述源极接触区域和所述漏极接触区域之间的沟道区域，所述源极接触区域和漏极接触区域包括：层叠设置的非晶硅层和非晶硅掺杂层，所述非晶硅层和非晶硅掺杂层通过对一非晶硅薄膜的表面进行离子注入得到，其中，所述非晶硅薄膜的被离子注入的上层膜层形成所述非晶硅掺杂层，未被离子注入的下层膜层形成所述非晶硅层；所述沟道区域包括非晶硅层，所述沟道区域的非晶硅层与所述源极接触区域和漏极接触区域的非晶硅层相连；

形成有源层的图形还包括：

在形成源极和漏极之前，

去除所述非晶硅掺杂层的第一预设厚度的上层膜层，即去除离子浓度为低密度区域的上层膜层，从而改善源漏极与有源层的接触电阻；

所述第一预设厚度为15-35纳米；

形成有源层的图形还包括：

去除所述沟道区域的非晶硅层的第二预设厚度的上层膜层；

所述沟道区域的非晶硅层去除所述第二预设厚度之后的厚度小于110nm。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成有源层的图形包括：

形成非晶硅薄膜；

在所述非晶硅薄膜的第一区域形成光刻胶图形，所述第一区域用于形成所述沟道区域；

采用离子注入工艺对所述非晶硅薄膜进行离子注入，使得所述非晶硅薄膜的除所述第一区域之外的其他区域形成上层膜层为非晶硅掺杂层、下层膜层为非晶硅层的结构；

对离子注入后的所述非晶硅薄膜进行构图，形成有源层的图形。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成有源层的图形包括：

形成非晶硅薄膜；

对所述非晶硅薄膜进行构图，形成有源层的图形；

在所述有源层的沟道区域形成光刻胶图形；

采用离子注入工艺对所述有源层的未被所述光刻胶图形覆盖的源极接触区域和漏极接触区域进行离子注入，使得所述源极接触区域和漏极接触区域的非晶硅薄膜形成上层膜层为非晶硅掺杂层、下层膜层为非晶硅层的结构。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成有源层的图形包括：

形成非晶硅薄膜；

采用离子注入工艺对所述非晶硅薄膜进行离子注入，使得所述非晶硅薄膜形成上层膜层为非晶硅掺杂层、下层膜层为非晶硅层的结构；

对离子注入后的所述非晶硅薄膜进行构图，形成有源层的图形；

去除所述有源层的沟道区域的非晶硅掺杂层。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，去除所述有源层的沟道区域的非晶硅掺杂层包括：

在形成源极和漏极之后，以所述源极和漏极为掩膜，去除所述有源层的沟道区域的非晶硅掺杂层。

6.如权利要求2-5任一项所述的方法，其特征在于，在所述离子注入工艺中，等离子浓度为大于1E15。

7.一种薄膜晶体管，由权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管的制作方法制作而成，其特征在于，包括：

栅极、有源层、源极和漏极的图形；

其中，所述有源层包括：源极接触区域、漏极接触区域和位于所述源极接触区域和所述漏极接触区域之间的沟道区域，所述源极接触区域和漏极接触区域包括：层叠设置的非晶硅层和非晶硅掺杂层，所述非晶硅层和非晶硅掺杂层通过对一非晶硅薄膜的表面进行离子注入得到，其中，所述非晶硅薄膜的被离子注入的上层膜层形成所述非晶硅掺杂层，未被离子注入的下层膜层形成所述非晶硅层；所述沟道区域包括非晶硅层，所述沟道区域的非晶硅层与所述源极接触区域和漏极接触区域的非晶硅层相连。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道区域的非晶硅层的厚度小于所述源极接触区域和漏极接触区域的非晶硅层的厚度。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道区域的非晶硅层的厚度小于110nm。

10.一种显示器件，其特征在于，包括如权利要求7-9任一项所述的薄膜晶体管。