[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示器件

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示器件，该制作方法包括：形成栅极、有源层、源极和漏极的图形；有源层包括：源极接触区域、漏极接触区域和位于源极接触区域和漏极接触区域之间的沟道区域，源极接触区域和漏极接触区域包括：层叠设置的非晶硅层和非晶硅掺杂层，非晶硅层和非晶硅掺杂层通过对一非晶硅薄膜的表面进行离子注入得到，其中，非晶硅薄膜的被离子注入的上层膜层形成非晶硅掺杂层，未被离子注入的下层膜层形成非晶硅层；沟道区域包括非晶硅层，沟道区域的非晶硅层与源极接触区域和漏极接触区域的非晶硅层相连。本发明能够改善源漏电极和有源层之间的接触电阻，有利于非晶硅薄膜晶体管的性能的提高。

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、显示器件。

背景技术

由于非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)本身具有低温工艺及低成本制造等优势，其可用作驱动显示器件的驱动元件，具有相当的市场潜力。

非晶硅薄膜晶体管中，源漏电极和有源层接触时，多会形成势垒层，从而影响非晶硅薄膜晶体管的性能。因此，如何在源漏电极和有源层之间形成良好的欧姆接触，将有利于非晶硅薄膜晶体管的性能的提高。

发明内容

本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示器件，用于解决现有的非晶硅薄膜晶体管因源漏电极和有源层接触时形成势垒层，影响非晶硅薄膜晶体管的性能的问题。

为了解决上述技术问题，本发明是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

形成栅极、有源层、源极和漏极的图形；

其中，所述有源层包括：源极接触区域、漏极接触区域和位于所述源极接触区域和所述漏极接触区域之间的沟道区域，所述源极接触区域和漏极接触区域包括：层叠设置的非晶硅层和非晶硅掺杂层，所述非晶硅层和非晶硅掺杂层通过对一非晶硅薄膜的表面进行离子注入得到，其中，所述非晶硅薄膜的被离子注入的上层膜层形成所述非晶硅掺杂层，未被离子注入的下层膜层形成所述非晶硅层；所述沟道区域包括非晶硅层，所述沟道区域的非晶硅层与所述源极接触区域和漏极接触区域的非晶硅层相连。

可选的，形成有源层的图形包括：

形成非晶硅薄膜；

在所述非晶硅薄膜的第一区域形成光刻胶图形，所述第一区域用于形成所述沟道区域；

采用离子注入工艺对所述非晶硅薄膜进行离子注入，使得所述非晶硅薄膜的除所述第一区域之外的其他区域形成上层膜层为非晶硅掺杂层、下层膜层为非晶硅层的结构；

对离子注入后的所述非晶硅薄膜进行构图，形成有源层的图形。

可选的，形成有源层的图形包括：

形成非晶硅薄膜；

对所述非晶硅薄膜进行构图，形成有源层的图形；

在所述有源层的沟道区域形成光刻胶图形；

采用离子注入工艺对所述有源层的未被所述光刻胶图形覆盖的源极接触区域和漏极接触区域进行离子注入，使得所述源极接触区域和漏极接触区域的非晶硅薄膜形成上层膜层为非晶硅掺杂层、下层膜层为非晶硅层的结构。

可选的，形成有源层的图形包括：

形成非晶硅薄膜；

采用离子注入工艺对所述非晶硅薄膜进行离子注入，使得所述非晶硅薄膜形成上层膜层为非晶硅掺杂层、下层膜层为非晶硅层的结构；

对离子注入后的所述非晶硅薄膜进行构图，形成有源层的图形；

去除所述有源层的沟道区域的非晶硅掺杂层。