[发明专利]半导体系统封装及其制造方法在审
申请号: | 202110935960.7 | 申请日: | 2021-08-16 |
公开(公告)号: | CN113658873A | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 吴俊毅;余振华 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 王素琴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 系统 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体系统封装的制造方法,包括:
在第一载体衬底之上形成多个导电垫;
将局部有机内连线接合到所述多个导电垫,其中所述局部有机内连线包括第二载体衬底;
将所述局部有机内连线及所述多个导电垫包封在模塑化合物中;
通过将所述模塑化合物与所述局部有机内连线的钝化材料平坦化来移除所述第二载体衬底;
形成与所述模塑化合物相邻的第一重布线层;
形成与所述第一重布线层相邻的第一外部连接件;以及
在所述第一重布线层之上形成第二外部连接件,所述第二外部连接件通过局部重布线走线电耦合到所述第一外部连接件,所述局部重布线走线嵌置在所述局部有机内连线的所述钝化材料内。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其中形成所述第一重布线层包括:
从所述局部有机内连线的凸块下金属移除所述多个导电垫;以及
形成所述第一重布线层的多个导电特征至所述凸块下金属。
3.根据权利要求1所述的制造方法,其中形成所述第一重布线层包括形成所述第一重布线层的多个导电特征至所述多个导电垫。
4.根据权利要求1所述的制造方法,还包括:
与所述多个导电垫相邻地在所述第一载体衬底之上形成穿孔;
将所述穿孔与所述局部有机内连线及所述多个导电垫一起包封在所述模塑化合物中;
形成与所述局部有机内连线的背侧相邻的第二重布线层,所述第二重布线层通过所述穿孔电耦合到所述第一重布线层;以及
将外部连接件贴合到所述第二重布线层,所述外部连接件电耦合到所述局部有机内连线。
5.一种半导体系统封装的制造方法,包括:
在载体衬底之上形成第一定位垫及第二定位垫;
将局部内连线贴合到所述第一定位垫及所述第二定位垫,所述第一定位垫通过嵌置在所述局部内连线的钝化材料内的局部导电迹线电耦合到所述第二定位垫;
在所述局部内连线之上形成电耦合到所述局部内连线的背侧重布线层;
在所述背侧重布线层之上形成第一外部连接件;以及
在所述背侧重布线层之上形成第二外部连接件,所述第二外部连接件通过所述局部导电迹线电耦合到所述第一外部连接件。
6.根据权利要求5所述的制造方法,其中贴合所述局部内连线包括将所述第一定位垫接合到所述局部内连线的第一凸块下金属以及将所述第二定位垫接合到所述局部内连线的第二凸块下金属。
7.根据权利要求6所述的制造方法,其中所述接合包括在所述局部内连线的第一外部接触件与所述第一定位垫之间以及在所述局部内连线的第二外部接触件与所述第二定位垫之间执行焊料回焊。
8.根据权利要求7所述的制造方法,其中形成所述背侧重布线层还包括在所述第一凸块下金属之上形成电耦合到所述第一凸块下金属的第一重布线走线以及在所述第二凸块下金属之上形成电耦合到所述第二凸块下金属的第二重布线走线。
9.一种半导体系统封装,包括:
局部有机内连线,包括嵌置在钝化材料中的局部导电迹线;
背侧重布线层,位于所述局部有机内连线之上,所述背侧重布线层电耦合到所述局部有机内连线;
第一外部连接件,通过所述背侧重布线层电耦合到所述局部有机内连线;以及
第二外部连接件,通过所述背侧重布线层电耦合到所述局部有机内连线,所述第二外部连接件通过所述局部导电迹线电耦合到所述第一外部连接件。
10.根据权利要求9所述的半导体系统封装,其中所述局部有机内连线还包括:
第一凸块下金属,将所述第一外部连接件电耦合到所述局部导电迹线;以及
第二凸块下金属,将所述第二外部连接件电耦合到所述局部导电迹线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造