[发明专利]基板及显示面板有效
申请号: | 202110936401.8 | 申请日: | 2021-08-16 |
公开(公告)号: | CN113745246B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | 檀小芳;宋志伟 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
1.一种基板,其特征在于,包括:
衬底;以及
多个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管设置在所述衬底上;
所述薄膜晶体管包括:
栅极,所述栅极设置在所述衬底上;
有源层,所述有源层设置在所述衬底上且与所述栅极异层设置,所述有源层与所述栅极重叠设置;
阻隔层,所述阻隔层至少覆盖所述有源层和所述栅极,所述阻隔层用于阻隔水氧;
平坦层,所述平坦层覆盖在所述阻隔层上;以及
源漏金属层,所述源漏金属层设置在所述平坦层上,所述源漏金属层包括源极和漏极,所述源极和所述漏极分别连接于所述有源层。
2.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,所述基板还包括第一绝缘层,所述第一绝缘层设置在所述有源层上,所述栅极设置在所述第一绝缘层上;
所述有源层、所述第一绝缘层和所述栅极堆叠形成凸出结构,所述阻隔层覆盖所述凸出结构的外表面。
3.根据权利要求2所述的基板,其特征在于,所述有源层包括第一顶面和连接于所述第一顶面周沿的第一侧面;
所述第一绝缘层设置在所述第一顶面的中间区域,所述第一绝缘层包括第二顶面和连接于所述第二顶面周沿的第二侧面;
所述栅极设置在所述第二顶面上,所述栅极包括第三顶面和连接于所述第三顶面周沿的第三侧面;
所述阻隔层覆盖所述第一顶面的侧边区域、所述第一侧面、所述第二侧面、所述第三顶面和所述第三侧面。
4.根据权利要求2所述的基板,其特征在于,所述基板还包括遮光层、缓冲层和第二绝缘层,所述遮光层设置在所述衬底上,所述遮光层与所述有源层重叠设置,所述缓冲层设置在所述遮光层和所述有源层之间,所述第二绝缘层设置在所述源漏金属层上;
所述源漏金属层还包括源极延长线,所述源极延长线分别连接于所述源极和所述遮光层。
5.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,所述基板还包括第一绝缘层,所述第一绝缘层设置所述栅极上,所述有源层设置在所述第一绝缘层上;
所述阻隔层覆盖在所述有源层的外表面。
6.根据权利要求5所述的基板,其特征在于,所述第一绝缘层设置有沟槽,所述沟槽绕设在所述栅极的外周,所述阻隔层覆盖所述沟槽。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的基板,其特征在于,所述阻隔层的密度大于或等于2.5g/cm3。
8.根据权利要求1-6任意一项所述的基板,其特征在于,所述阻隔层为单层结构,所述阻隔层的材料包括金属氧化物。
9.根据权利要求1-6任意一项所述的基板,其特征在于,所述阻隔层包括第一阻隔层和第二阻隔层,所述第二阻隔层设置在所述第一阻隔层上,所述第一阻隔层的材料包括金属氧化物,所述第二阻隔层的材料包括硅氧化物。
10.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-8任意一项所述的基板,所述显示面板还包括层叠设置的第一电极、发光层和第二电极,所述第一电极连接于所述漏极。
11.一种显示面板,其特征在于,包括阵列基板、对向基板和设置在所述阵列基板和所述对向基板之间的液晶;所述阵列基板包括如权利要求1-9任意一项所述的基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110936401.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种线路展放中防线路弹跳的装置
- 下一篇:一种过滤效果好的液相色谱仪富集柱
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的