[发明专利]半导体结构的制造方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供待布线结构，所述待布线结构包括至少一个芯片，所述芯片具有正面，所述芯片的正面设有多个焊垫；

在所述芯片的正面形成第一绝缘层，所述第一绝缘层设有多个开口，每一所述开口暴露一个所述焊垫的至少部分；

在所述第一绝缘层背离所述芯片的一侧形成导电膜层，所述导电膜层覆盖所述第一绝缘层背离所述芯片的表面及所述焊垫被所述开口暴露的部分，且所述导电膜层位于所述第一绝缘层背离所述芯片一侧的部分的厚度小于所述导电膜层覆盖所述焊垫的部分的厚度；

将所述导电膜层超出所述第一绝缘层的部分去除，得到位于所述开口内且与所述焊垫直接接触的导电结构；

在所述第一绝缘层背离所述芯片的一侧形成再布线结构，所述再布线结构与所述导电结构电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述待布线结构包括多个所述芯片；所述提供待布线结构，包括：

提供晶圆结构，所晶圆结构包括多个相连的所述芯片。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在所述芯片的正面形成第一绝缘层之后，所述半导体结构的制造方法还包括：

对所述晶圆结构进行切割，得到多个半导体中间结构，所述半导体中间结构包括至少一个所述芯片；

将所述半导体中间结构贴装在第一载板上，所述第一绝缘层朝向所述第一载板；

形成塑封层，所述塑封层至少覆盖所述半导体中间结构的侧面；

剥离所述第一载板，得到塑封结构；

将所述塑封结构贴装在第二载板上，所述第一绝缘层背离所述第二载板。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述提供待布线结构，包括：

提供硅基板及芯片，所述硅基板设有凹槽，所述芯片的正面背离所述凹槽的底部；

将所述芯片放置于所述凹槽内；

在所述芯片与所述凹槽的侧壁之间填充胶体材料，并固化所述胶体材料，形成介电层。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述提供待布线结构，包括：提供第三载板及多个所述芯片，将多个所述芯片贴装在第三载板上，所述芯片的正面背离所述第三载板；

所述在所述芯片的正面形成第一绝缘层，包括：形成包封层，所述包封层包覆所述芯片的侧面及所述芯片的正面；

对所述包封层位于所述芯片的正面的部分进行图形化处理，形成暴露所述焊垫的开口；所述第一绝缘层包括所述包封层位于所述芯片的正面的部分。

6.根据权利要求1至5任一项所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层背离所述芯片的一侧形成导电膜层，所述导电膜层覆盖所述第一绝缘层背离所述芯片的表面、所述开口的侧表面及所述焊垫被所述开口暴露的部分，包括：

在所述第一绝缘层背离所述芯片的表面、所述开口的侧表面及所述焊垫被所述开口暴露的部分设置第一种子层；

基于所述第一种子层形成所述导电膜层。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，

所述将所述导电膜层超出所述第一绝缘层的部分去除，包括：对所述导电膜层进行刻蚀，将所述导电膜层超出所述第一绝缘层的部分去除；或者，

所述将所述导电膜层超出所述第一绝缘层的部分去除，包括：对所述导电膜层进行减薄处理，将所述导电膜层超出所述第一绝缘层的部分去除；

所述将所述导电膜层超出所述第一绝缘层的部分去除之后，所述半导体结构的制造方法还包括：对所述导电膜层位于所述开口内的部分及所述第一绝缘层进行减薄处理，使所述第一绝缘层背离所述芯片的表面及得到的所述导电结构背离所述芯片的表面齐平。